薄膜表面的平整性如同厚度一样重要。第10章已详尽阐述了台阶和表面的粗糙度对图像形成的影响。G2992F1U淀积的薄膜必须平整、光滑，并且淀积的方法允许形成最小的台阶、裂隙和表面反射。

   淀积的薄膜必须具有所要求的均匀成分。许多反应是复杂的，且有可能淀积的簿膜含有的成分与所要求的成分不同。化学计量学( Stoichiometry)提供了对化学反应中的反应物和形成物的定量计算的方法。除化学的成分外，核粒( grain)尺寸具有同样的重要

性。在淀积过程中，薄膜材料趋向于聚集或成核。在相同的成分和厚度的薄膜中，核粒尺寸E的变化也会产生电性能及机械性能上的差异，其原因在于流经核粒表面的电流会受到影响。机械特性也随着核粒界面大小而改变。

   无应力是对淀积的薄膜的另一种特性上的要求。淀积时附加额外应力的薄膜将通过裂隙的形成而释放此应力。裂隙的薄膜使薄膜的表面变粗，而且杂质也会渗透到晶圆内。严重时将导致短路。

   纯净度，即在薄膜中不含有不需要．的化学元素或分子，以保证薄膜执行预定的功能。例如，外延层中含有氧的杂质将改变其电性能。纯度也包括可动离子沾污和微粒之外的其他物质。

   电容是淀积薄膜的另一个重要参数（见第2章）。半导体中的金属传导层需要高传导、低电阻和低电容的材料，也称为低k值绝缘介质（low-k dielectric）。传导层之间使用的绝缘介质层需要高电容或高后值的绝缘介质（high-k dielectric）-彭。

   层间介质应采用低A材料，希望降低电容效应——详者注。