1963午，塑封在IRFR9024NTR硅器件E的使用加速了价格的下跌，同一年，美国无线电( RCA)公司宣布开发出厂绝缘场效应管( IFET)，这为MOS工业的发展铺平了道路。RCA还制造出了第一个互补型MOS( CMOS)电路。

   在20世纪70年代初，半导体集成电路的制造主要在中规模集成电路( MSI)的水平，向有利润并高产的大规模集成电路( LSJ)的发展在某种程度上受到了掩模版引起的缺陷和由接触光刻机（Contact Aligner）造成的晶圆损伤的阻碍。Perkin and Elmer公司开发出了第一个实际应用的投射光刻机，从而解决了掩模版和光刻机的缺陷问题。

   在这f‘年中，洁净间的结构和运行得到r提高，并出现了离子注入机，用于高质量掩模版的电子束( e-beam)机，以及用于晶圆光刻掩模步进式光刻机(Stepper)开始出现。

   工艺过程的自动化从旋转涂胶／烘焙和显影／烘焙开始，从操作员控制发展到工艺过程的自动控制提高r产量和产品的一致性。

   20世纪80年代的焦点是如何从生产区域取消操作工和如何实现晶圆制造、封装的全程自动化，、自动化提高了制造效率，使加工失误减到最小，并保持晶圆制造区更少的沾污。300 mm的晶圆在20世纪90年伐被引入，进一步促进了对自动化晶圆厂的需求（见第4章和第15章）、

   20世纪80年代的10年以美国和欧洲占统治地位开始，以半导体成为全球产业而结束j从20世纪70到80年代，1肌m特征图形尺寸的障碍显示了机遇和挑战。机遇是指，这会是一个具有极高的速度和存储能力自‘万芯片的纪元。挑战是指传统光刻由于新增层、更大的晶圆表面台阶高度变化和晶圆直径增大造成的局限。l¨m的障碍是在20世纪90年初期被突破的，50%的微芯片生产线在生产微米级和低于微米级的产品7。