等离子体刻蚀像湿法刻蚀一样是一种化学工艺，它使用气体和等离子体能量来进行化学反应：．二氧化硅刻蚀在两个系统中的比较说明了区别所在。EL1537AIRE在湿法刻蚀二氧化硅中，氟在缓冲氧化物刻蚀剂中是溶解二氧化硅的成分，并转化为町用水冲洗的成分。形成反应的能量来自缓冲氧化物刻蚀溶液的内部或外部加热器。

   等离子体刻蚀机要求相同的元素：化学刻蚀剂和能量源。物理上，等离子体刻蚀机由反应室、真空系统、气体供应、终点探测和电源组成（见图9. 21）。晶圆被送入反应室，并由真空系统把内部压力降低。在真空建立起来后，将反应室内充入反应气体。对于二氧化硅刻蚀，气体一般使用CF4和氧的混合剂。电源通过在反应室中的电极创造了—个射频(RF)电场，能量场将混合气体激发成等离子体状态。在激发状态，氟刻蚀二氧化硅，并将其转化为挥发性成分由真空系统排出。