蒸气刻蚀是把晶圆暴露于刻蚀剂蒸气中。氢氟酸是最常用到的。EL1509CS其优点是有持续新鲜的刻蚀剂补充到晶圆表面并可以及时停止刻蚀。出于安全考虑，有毒蒸气需要密封保存在系统内。

   干法刻蚀

   对于小尺寸湿法刻蚀的局限在前面已经提到。回顾一下，它们包括：

   1．湿法刻蚀局限于2¨m以上的图形尺寸。

   2．湿法刻蚀为各向同性刻蚀，导致边侧形成斜坡．，

   3．湿法刻蚀工艺要求冲洗和干燥步骤。

   4．液体化学品有毒害。

   5．湿法工艺有潜在的污染。

   6．光刻胶黏结力的失效导致钻蚀。

   基于以上方面的考虑，干法刻蚀被用于先进电路的小特征尺寸精细刻蚀中。图9. 20足刻蚀技术的概略。

    图9. 20刻蚀方法指南

   干法刻蚀( dry etching)是一个通称术语，是指以气体为主要媒体的刻蚀技术，晶圆不需要液体化学品或冲洗。晶圆在干燥的状态进出系统。三种干法刻蚀技术分别为：等离子体、离子铣（刻蚀）和反应离子刻蚀( RIE)。