- 自对准结构2015/11/4 22:17:22 2015/11/4 22:17:22
- 过刻蚀会使两个结构的距离比预想的近。而工芝制成中，不可避免地存在过刻蚀，ADS7869IPZTR所以各个结构的对准变得至关重要，、一种解决办法就是自对准结构(self-alignedstruct...[全文]
- 化学机械抛光抛光垫2015/11/4 21:59:29 2015/11/4 21:59:29
- 抛光垫由铸形用聚亚胺酯(polyurethane)泡沫材料和填料、聚亚胺酯填充垫或其他一些特殊材料制成。抛光垫最重要的特性是具有多孔性、压缩性和硬度”，多孔性，一般用相对密ADS7861IRHB...[全文]
- 双大马士革工艺2015/11/4 21:55:21 2015/11/4 21:55:21
- 随着器件密度的增加，ADS7846E金属的层数也不得不随之增加。在各金属层之间使用导电介质连接，导电介质被称为连接柱(stud)或连接塞(plug)。钨是首选的金属材料，但对它的刻蚀比较复杂。另...[全文]
- 平坦化2015/11/3 20:07:12 2015/11/3 20:07:12
- 电路通过图形密度的增加和工艺层数的增加升级到了超大规模集成电路(VLSI)的水平。NCP305LSQ33T1随着各种各样的工艺层被刻蚀成图形，晶圆表面变得高低不平这些高低不平的平面各自具有不同的...[全文]
- 光学临近修正或光学工艺修正2015/11/3 19:57:54 2015/11/3 19:57:54
- 我们知道在0.5ym以下工艺制成中，在光刻胶上可能形成扭曲的图形。NCP305LSQ18T1光学临近修正或光学工艺修正(>光刻胶f-时，却可以形成完美图形。特别脆弱的情况是邻近透光／不透光区域密...[全文]
- 无金属表面的湿法去除2015/11/2 21:07:46 2015/11/2 21:07:46
- 硫酸和氧化剂溶液：EL2028CSZ硫酸和氧化剂溶液（过氧化氢或过硫酸铵22）是最常用的去除无金属表面(>这种溶液可去除负光刻胶和正光刻胶．，相同的化学溶液和工艺用于在第7章描述的预炉管清洗晶圆...[全文]
- 离子束刻蚀2015/11/2 21:04:32 2015/11/2 21:04:32
- 第二种类型的干法刻蚀系统是离子束刻蚀系统（见图9.24）。与化学等离子体刻蚀系统不同，EL1883ISZ-T离子束刻蚀是一个物理过程。晶圆在真空反应室内被置于固定器上，并且向反应室导入氩气流。当...[全文]
- 选择性是等离子体刻蚀工艺的一个主要的考虑事项2015/11/2 21:01:41 2015/11/2 21:01:41
- 选择性是等离子体刻蚀工艺的一个主要的考虑事项，特别是当需要迸行平衡过刻蚀时。EL1881CSZ-T7理想情况是，刻蚀时间可以通过要预计去除的膜厚度加上一点，以确保安全的过刻蚀时间来计算。遗憾的是...[全文]
- 膜湿法刻蚀2015/11/2 20:42:14 2015/11/2 20:42:14
- 膜湿法刻蚀对于铝和铝合金层有选择性的刻蚀溶液是基于磷酸的。遗憾的是，EL1508CS铝与磷酸反应的副产物是微小的氢气泡（见图9.18）。这些气泡附着在晶圆表面，并阻碍刻蚀反应。结果既可能产生导致...[全文]
- 步进扫描光刻机2015/11/1 18:30:10 2015/11/1 18:30:10
- 大部分生产用分步式光刻机具有G线或I线能力的紫外曝光光源。若想得到更小的几何尺寸，KS57C0302-31光刻机则须选用深紫外范围的激光光源J1。为在曝光过程中保持准确的图形尺寸，温度和湿度必须...[全文]
- 步进式光刻机2015/11/1 18:25:24 2015/11/1 18:25:24
- 步进式光刻机：虽然扫K9F1G08UOM描投影光刻机是在生产工作中超越接触式光刻机的一个重大飞跃，但它们仍有一些局限性，比如说与全局掩膜、图形失真，以及掩模版r：的尘埃和玻璃损坏造成的缺陷相关的...[全文]
- 对准法则2015/10/31 19:43:56 2015/10/31 19:43:56
- 第一个掩模版的对准是把掩模版上的y轴与晶圆上的主定位边成900角放置（见图8.42）。EL6238CLZ接下来的掩膜都用对准标记（又称“靶”）与上一层带有图形的掩膜对准。这是一些特殊的图形（见图...[全文]
- 曝光光源2015/10/31 19:41:06 2015/10/31 19:41:06
- 虽然光刻机是非常复杂的设备，但它的工作原理却建立在几个基本的光学理论上。EL6203CWZ-T7可以把它理解为在离墙面很近的地方用手拿着一把叉子，用闪光灯照射叉子，这时墙面卜．就形成了一个叉子的...[全文]
- 曝光光源2015/10/31 19:41:06 2015/10/31 19:41:06
- 虽然光刻机是非常复杂的设备，但它的工作原理却建立在几个基本的光学理论上。EL6203CWZ-T7可以把它理解为在离墙面很近的地方用手拿着一把叉子，用闪光灯照射叉子，这时墙面卜．就形成了一个叉子的...[全文]
- 手工热板2015/10/31 19:28:07 2015/10/31 19:28:07
- 在手工和实验室操作中，EL5167IW-T软烘焙经常使用一种简易的热板。把晶圆放在一个铝制夹具上，夹具有一个钻孑L，里面装有一个刻盘温度计。晶圆被安装在热板的夹具上（见图8.36）。操作员监控温...[全文]
- 自动旋转器2015/10/31 19:15:01 2015/10/31 19:15:01
- 一个半自动涂胶器增加了光刻胶自动吹气，光刻胶喷洒和旋转周期的功能。EL5162IWZ-T7氮气吹气是通过真窄吸盘上面一个单独的管子来完成的．这个管子连接着加压的氮气源（见图8.32）。在喷洒反应...[全文]
- 旋转式涂底胶2015/10/31 19:08:28 2015/10/31 19:08:28
- 对于大多数光刻蚀工艺，EL1883ISZ晶圆是在光刻胶涂胶吸盘上进光刻胶行涂底胶的（见图8.25）。HMDS是以手动或自动的方式从注并且会干涉曝光、显影和刻蚀。最后一点是HMDS相...[全文]
- 台阶覆盖度2015/10/30 22:17:34 2015/10/30 22:17:34
- 晶圆在进行光刻工艺之前，晶圆表面已经有了很多层。随着晶圆生产工艺的进行，AD9920BBCZRL晶圆表面得到了更多的层。为了使光刻胶有阻挡刻蚀的作用，它必须在以前层上面保有足够的膜厚。光刻胶用足...[全文]
- 基本的光刻胶化学2015/10/30 22:03:51 2015/10/30 22:03:51
- 光刻胶被应用在印刷工业上已经超过一个世纪了。在20世纪20年代，AD8614ARTZ-REEL人们才发现它在印制电路板领域可以有广泛的应用。半导体工业采纳这种技术来生产晶圆是在20世纪50年代。...[全文]
- 干氧氧化( dryox)2015/10/29 20:23:10 2015/10/29 20:23:10
- 干氧氧化(dryox)：随着MOS器件的引进，对洁净度及厚度的控制有了新的要求。MOS晶体管的心脏是栅极的结构，OP291GS栅极的关键层是很薄的热氧化层，液态水蒸气系统对于生长薄的、洁净的栅氧...[全文]
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