第二种类型的干法刻蚀系统是离子束刻蚀系统（见图9. 24）。与化学等离子体刻蚀系统不同，EL1883ISZ-T离子束刻蚀是一个物理过程。晶圆在真空反应室内被置于固定器上，并且向反应室导入氩气流。当进入反应室，氩气便受到从一对阴（一）阳(+)电极来的高能电子束流的影响。电子将氩膘子离子化成为带正电荷的高能状态。由于晶圆位于接负极的固定器上，从而氩离子便被吸向固定器。当氩原子向晶圆固定器移动时，它们会加速，提高能量。在晶圆表面，它们轰击进入暴露的晶圆层，并从晶圆表面炸掉一小部分。科学家称这种物理过程为动量传输( momentum transfer)。在氲原子与晶圆材料间不发生化学反应，，离子束刻蚀也称溅射刻蚀( sputter  etching)或离子铣( ion milling)。

   材料的去除（刻蚀）有高度的方向性（各向异性），导致良好的小开口区域的精密度。，因为是物理过程， 离子铣的选择性很差，特别对于光刻胶层。

   反应离子刻蚀( RIE)系统结合等离子体刻蚀和离子束刻蚀原理。系统在结构上与等离子体刻蚀系统相似，但具有离子铣的能力。两种原理的结合突出了它们各自的优点，化学等离子刻蚀和离子铣的方向性。RIE系统的一个主要优点是在刻蚀硅层上的二氧化硅

层。它们的结合使得选择比提高j20ii到35：1，而在只有等离子体刻蚀时为10：1。RIE系统已成为用于最先进牛产线中的刻蚀系统。