我们知道在0.5 ym以下工艺制成中，在光刻胶上可能形成扭曲的图形。NCP305LSQ18T1光学临近修正或光学工艺修正( OPC)掩模版试图在掩模版／放大掩模版上做出扭曲的图形，将它们曝光在光刻胶f-时，却可以形成完美图形。特别脆弱的情况是邻近透光／不透光区域密集的图形和短的和／或像小接触孔这样的图形拐角周围。借助于计算机，对曝光工艺条件（反差效应）进行分析，然后设计掩模版上的图形¨7：。对于一个圆端图形修正的例子如图10.19所示。另一个技术是两次光刻(doublemasking)。第一个掩模版是相移掩模版，在光刻胶上产生部分图形。第=个掩模版（整形掩模版）尾部有点增大，能够完成设计的图形.

   环孔照射( annular ring illumination)作为一种技术手段，首先是由珀金·埃尔默(PerkinElmer)扫描投影光刻机采用的．j在解决分辨率这一问题上，均匀一致的光源是一个重要武器。遗憾的是，传统的光学曝光源产生的光斑太不均匀一致了然而，在这个光斑中，我们可以找到能量均匀一致的区域（如环状区域）。环孔光源挡去了大部分光，只透过环状的均匀一致的光照射在晶圆上。