选择性是等离子体刻蚀工艺的一个主要的考虑事项，特别是当需要迸行平衡过刻蚀时。EL1881CSZ-T7理想情况是，刻蚀时间可以通过要预计去除的膜厚度加上一点，以确保安全的过刻蚀时间来计算。遗憾的是，累计厚度和在高密度器件中多层膜( stack)组成物的变化提出了刻蚀一致性问题。另外对于高密度器件，一个称为微负载( microloading)的现象会引入刻蚀率的变化。微负载是相对于被刻蚀材料区域的本区域刻蚀率的变化。一个大的区域会以去掉的材料加载( load)于刻蚀过程，以减缓刻蚀速度，而小区域则会以较快的刻蚀率进行。形貌问题也会要求对过刻蚀的考虑。典型的情况是在器件／电路中薄区域与厚区域上的接触孔开口（见第10章）。这些因素对于金属刻蚀会导致50%~80%的过刻蚀”，对于氧化物和多晶硅刻蚀会高达200%H。。

   过刻蚀使得选择性问题变得非常关键。这里有两个要考虑的因素：光刻胶和其下层膜 （通常是硅或氮化硅）。干法刻蚀较湿法刻蚀工艺对光刻胶有更高的去除率。，更薄的膜用于小尺寸图形并在多层叠加膜中使用，使得光刻胶的选择性变得十分关键。混合选择性问题是高深宽比的图形。先进的器件有达到4:1的深宽比的图形。孔与其高度相比非常窄，以至于刻蚀在接近孔的底部会减慢或停止r15]。

   用于控制选择性的4种方法是刻蚀气体配比的选择、刻蚀率、接近工艺结束时的气体稀释来减缓对下层的刻蚀，在系统中使用终点探测器。

   当顶层膜已经被去除时，要求系统内置终点检测器终止刻蚀。典型的是使用激光干涉仪。随着刻蚀进程，一束激光在晶圆表面被反射。以一种振荡的模式返回到探测器，它随被刻蚀的材料的种类而变。终点探测器对在尾气流存在的刻蚀层材料敏感，并在探测不到被刻蚀材料时自动发出信号来结束刻蚀。