干氧氧化( dryox)：随着MOS器件的引进，对洁净度及厚度的控制有了新的要求。MOS晶体管的心脏是栅极的结构，OP291GS栅极的关键层是很薄的热氧化层，液态水蒸气系统对于生长薄的、洁净的栅氧化是不可靠的。答案是要用干氧氧化（或干蒸气）工艺（见图7. 27）。

   在于氧化系统中，气态氧气和氢气直接进入炉管。在炉管中两种气体混合，并在高温的影响下形成水蒸气，导致往水蒸气中的湿氧化。于氧化系统提供了一个比液态系统改进了的控制及洁净度。第一，可以买到非常干净和干燥图7. 27“于氧”（r蒸气）水汽源的气体；第二…二，进入炉管的气体总量可以被质量流量控制器非常精确地控制。在制造高级器件时，干氧氧化比其他氧化方法更优越。

   于氧氧化的缺点是氢气的易爆炸性。在达到氧化温度时，氢气非常容易爆炸。可以用一些保护措施来减少潜在的爆炸可能性。例如把进入炉管的氧气和氢气管分开，并流入过量的氧气。过量的氧气可以保证每个氢分子(H：)和氧原子形成不爆炸的水分(H：O)。其他的防护措施还有氢气报警，以及在气体柜和清除机之间安装热灯丝，它可以在爆炸发生前就燃烧掉跑出的多余氢气。