随着器件密度的增加，ADS7846E金属的层数也不得不随之增加。在各金属层之间使用导电介质连接，导电介质被称为连接柱( stud)或连接塞(plug)。钨是首选的金属材料，但对它的刻蚀比较复杂。另外，铜已经代替铝成为首选金属化系统。然  金属线条和塞金属线条而，铜的工艺又引入f-大堆新的问题。一种是使用被称为双大马上革( dual  damascene)的工艺代替传统的光刻和刻蚀【艺。它是一种类似于将金属嵌入层间介质的嵌入式【艺，在这种1：艺中，在一种介质或其他物体表面开出凹槽，将金属涂布整个表面，也填充到凹槽中。去除表面溢出的金属后，一些保留在凹槽中，留下一个装饰图形。在半导体应用中，首先使用传统的光刻工艺刻出沟道，然后用所需的金属填充沟道，并用电镀法淀积铜。金属淀积溢出表面。用化学机械抛光( CMP)将溢出的金属去除，留下在沟槽内相互隔离的金属（见图10. 31）。第13章将详细讲述这一新的和重要图形的形成技术。