- 光刻技术用来确定PN结的几何结构2017/11/24 21:16:18 2017/11/24 21:16:18
- 如图1-4所示的前端工艺的主要加工步骤包括氧化、光刻、刻蚀、离子注入和金属化。氧化A416316BS-35/Q是将s⒑2覆盖整个晶圆表面,目的是在许多器件结构里起绝缘层作用。光刻技...[全文]
- 根据故障现象初步判断是三相全控整流桥故障2017/11/23 21:08:12 2017/11/23 21:08:12
- 故障分析及处理:根据故障现象初步判断是三相全控整流桥故障,产生此故障的原因及处理方法如下。M02LT521R150J(1)整流晶闸管开路、击穿、软击穿或电参数性能下降,用示波器观察...[全文]
- 电镀后烘焙(Post Plating Baking)2017/11/23 20:51:55 2017/11/23 20:51:55
- 电镀后烘焙(PostPlatingBaking)M01215这一步的目的是减少及延缓锡胡须的产生、因为锡胡须会造成芯片封装后成品的引脚短路,使电路系统无法正常⒈作,锡胡须要控制小于...[全文]
- 缺陷密度与良率模型2017/11/19 17:21:35 2017/11/19 17:21:35
- yicld是一个直观的工艺成熟度的表征指标.不过在半导体生产制造中.很多时HIF3-2226SCA候直接用yield来评价工艺的好坏有很大的局限性如图17,4所示,同样的I艺缺陷,在不同的产品上...[全文]
- 统计过程控制 2017/11/19 16:53:57 2017/11/19 16:53:57
- 随着科技的发展,产品的制造过程日益复杂,对产品的质量要求日益提高,电子产HCF4051M013TR品的不合格品率由过去的百分之一、千分之一降低到百万分之一(ppm)。乃至十亿分之一(ppb),仅...[全文]
- 入射光束(线偏振光)的电场可以在两个垂直平面上分解为矢量元2017/11/18 17:22:16 2017/11/18 17:22:16
- 入射光束(线偏振光)的电场可以在两个垂直平面上分解为矢量元。P平面包含人射光和出射光,s平面则是与这个平面垂直。类似地,SC29332VG反射光或透射光是典型的椭圆偏振光,因此仪器被称为椭偏仪。...[全文]
- 测量系统的分辨力2017/11/17 22:17:43 2017/11/17 22:17:43
- 测量系统的分辨力(discrimination)是指测量系统识别并反映被测物理量最微小变化的能力。U05J4B48测量系统的分辨力不够高,就无法正确识别过程的波动,因而影响对测量结果的定量描述。...[全文]
- 测量系统分析 2017/11/17 22:16:28 2017/11/17 22:16:28
- 测量数据质董由在稳定条件下运行的某一测量系统得到的多次测董结果的统计特性确定,其中,U05GU4B48测董系统是指与进行测量有关的任何东西:人、测量丁具、材料、方法和环境。在这里,我们把“测量系...[全文]
- 分析手法:开路,不排除封装制程相关2017/11/16 20:33:44 2017/11/16 20:33:44
- (1)失效模式:Burn-in(老化)16小时器件Pin1o连续性Ⅱ开路失效。SGM2019-1.8YN5G(2)分析手法:开路,不排除封装制程相关。外观日检后运用XRay(...[全文]
- 聚焦离子束(RIE)2017/11/15 20:33:49 2017/11/15 20:33:49
- 聚焦离子束(RIE),特别是现代IC失效分析实验审必备的双束FIB,因其具有定点切割和同步扫描电镜观察,金属、介质沉积功能和增强刻蚀功能,TLC1543CN广泛用于透射电镜样品制备,在线缺陷观察...[全文]
- FA报告2017/11/13 20:29:00 2017/11/13 20:29:00
- 总结结论、提出建议和改正措施,如(addFAReportComponentandFormathere):SMDA15C.TBT(1)失效原囚:以半导体器件失效机理的有关理论为根据,...[全文]
- 失效定位2017/11/13 20:27:42 2017/11/13 20:27:42
- 利用多种不同的技术,在每个芯片的几十万到几千万个甚至上亿个元件中,缩小导致失效的范围。SL1612C在深亚微米领域集成电路进行失效分析,找到失效部位并进行该部位的失效机理分析是整个失效分析中最关...[全文]
- MEEF计算是针对缺陷列表而不是全芯片的设计2017/11/12 16:56:18 2017/11/12 16:56:18
- 我们对在全芯片OPC验证中检查出来的热点进行了MEEF分析。原则上,基于任R10706NB何设计的缺陷列表可以用于分析MEEF的敏感性,其思想是探测ΘPC的不相容边沿以及过滤出最敏感的热点,这个...[全文]
- GsT CMP的挑战2017/11/11 18:47:10 2017/11/11 18:47:10
- GST是一种合金材料,Ge(锗)、Sb(锑)和Te(碲)分别属于第四族、第五族和第六族元素,其得失电子的能力各不相同,表现为在氧化剂中的被氧化程度各不相同,Ge(锗)和Sb(锑)较容易被氧化而形...[全文]
- 计时电路2017/11/9 12:30:09 2017/11/9 12:30:09
- (1)计时电路H1012T通过分析数字钟的功能，该设计需要一个模为24的计数器构成小时的计数，两个模为60的计数器实现分和秒的计数，三个计数器之间构成进位关系，即秒计数器为分计数器...[全文]
- 第一级采用差分放大电路2017/11/9 12:17:48 2017/11/9 12:17:48
- 电路温漂是指环境温度、电流电压变化导致工作点漂移的现象。温漂会使放大电路产生非线性失真，严重时甚至会把输出信号淹没，H0018CBWU使放大电路无法正常放大。解决温度漂移的方法可以...[全文]
- 万用表的红表笔接发射极E2017/11/8 12:02:20 2017/11/8 12:02:20
- ·三极管正常：万用表的红表笔接发射极E，黑表笔接基极B，其阻值在iokfl以下，A4950ELJTR-T表笔对调，呈现大阻值；红表笔接集电极C，黑表笔接基极B，其阻值...[全文]
- 晶片湿法处理的机理2017/11/5 17:32:37 2017/11/5 17:32:37
- 晶片湿法处理的机理晶片湿法处理有物理方法和化学方法两种。物理方TC7WH34FU法:使用水合动力、冲击力等物理力,靠动量传递把污染物从晶片上分拆去除。化学方法:使用物质间产生的化学...[全文]
- 晶片前段表面准备的技术要求2017/11/5 17:27:51 2017/11/5 17:27:51
- 芯片污染膜在很多方面影响集成电路的正常加工和器件性能。如受金属污染的栅氧化层,TC74VHC273FS漏电流会增大,良率降低「21;污染的膜层在酸槽中刻蚀,会二次污染酸槽;污染的膜层也有可能直接...[全文]
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