我们对在全芯片OPC验证中检查出来的热点进行了MEEF分析。原则上,基于任R10706NB何设计的缺陷列表可以用于分析MEEF的敏感性,其思想是探测ΘPC的不相容边沿以及过滤出最敏感的热点,这个软件能够进行热点的MEEF计算、存储缺陷列表中对应的MEEF值。因为MEEF计算是针对缺陷列表而不是全芯片的设计,所以这个方法速度要比传统方法快很多。使用交互式的图形界面,具有高MEEF比率(()PC后/()PC前)的缺陷能被过滤出来并进行仔细研究。这里,采用和后OPC验证阶段相同的光刻模型,不需要额外的负担进行数据准备。这些过滤出来的缺陷图形可以存储在图形库中,而且根据器件的类型不断积累留作将来使用。图13.6给出了整个I作流程。

   图13.7 对于属于设计图形采用图形搜索方法进行筛杳的DFM流程并不总是这种情况。下面我们用两个来白于不同层的例子来解释这种例外。

   对一个65nm△艺节点的逻辑器件(M1层和多晶硅层)进行后OIDC验证得到的高MEEF的热点图形被用于进行热点结构设计,而且为了验证MEEF的变化,不同CD下类似的OPC不相容边沿结构也被产生出来。为了确保用于生产的OPC自的质量,生产配方被用在经过OPC处理过的那些测试图形上。