在PNL的基础上叉有两个改进工艺LRW(low resistallce W)和PNLxT。LRW是在PNL完成后加了一步B2H6和WF6反应,主要作用是增大晶粒。PNI'xT是在PNL反应过程中通入H2,主要作用是用H和WF6带来的F反应,形成的HF是气态被抽走,这样可以减少F对基体的攻击(attack),降低∞lcaxlo产生的概率。OPA2277U/2K5为了进一步降低nucleationlayer的厚度和增大grain sizc,在LRW的基础上又发展出了LRWxT工艺,其完全用B2H6代替SiH4,最后总的nucleati°n layer只有约1nm,grain size可达280hm,resistance比PNL可降低40%。

   对于bulk deposition,主要的改进工艺是∞ol伍ll,顾名思义就是把反应温度降低,从而降低沉积速率以提高填洞能力,但grain size略有变小,使rcsistance有3%的增加。一般而言,为了降低contact resistance,希望能使高阻的glue layer尽量薄。但事实上,glue layer的grain size会影响W的grain size,而glue layer的grain size又受glue layer厚度的影响,同时glue layer的Tl变薄也会使Ti gette⒒ng作用下降,从而使整个∞ntact的resistance变大。所以在实践中,要去做试验去发现合适的glue layer厚度。