第一,增大晶圆的尺寸。这是降PIC16F1936-I/SS低制造成本最直接的方法。晶圆尺寸的增加意味着同样的工艺步骤能生产出更多的芯片,从而降低晶体管的成本。如表2.1可见,50年的发展,晶圆尺寸从25mm增加到300mm,目前450mm的设各正在研发当中。这一领域正在产生重大的技术进步,而半导体制造商与供应商正进行对话,以评定300mm和450mm晶圆的标准与生产力改进情况。对相关情况的经济分析也正在对研发投入、利润、投资回报和资助机制的分析和建议等进行检查。晶圆尺寸的增大需要对设备提出更高的要求,比如在均匀性(uniformity)方面。

   第二,降低晶体管的几何尺寸(ge。met⒒c scaling)。集成电路的几何尺寸在几十年中降低幅度达到500倍以上。这是降低晶体管制造成本和提高晶体管性能的最有效的方法。几 何尺寸的降低,直接地增加了单位面积上的器件数目,从而降低芯片成本,同时提高了晶体管的电学性能,如能耗、速度等。而相对应地,几何尺寸的不断降低要求集成电路制造工艺 也做出不断的改进。而当半导体行业演进到90nm技术节点或更小尺寸时,单纯的几何尺寸缩小,不能够满足晶体管的性能提高,需要一些其他的手段来提高晶体管的电学性能,例如等效 置扩充(equi妃lent scaling)。Equi跎lcnt scalil△g的 §目标,如通过创新设计、软件解决方案和创新工 彗艺来提高性能,将在未来的十年引导半导体产业 挈前进E2]。如图2.1所示[3],应力技术,高霪栅介 ∩质材料/金属栅等创新工艺技术在90nm之后逐渐应用。