普通晶闸管是由四层半导体材料组成的

发布时间:2017/10/20 21:29:50 访问次数:4847

晶闸管自从⒛世纪m年代问世以来已经发展成了一个大的家族。它的主要成员有单向晶闸管、NANDO2GW3B2DN6E双向晶间管、光控晶间管、逆导晶闸管、可关断晶闸管及快速晶闸管等。

普通晶闸管是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极。第一层P型半导体引出的电极为阳极A,第三层P型半导体引出的电极为控制极G,第四层N型半导体引出的电极为阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

晶闸管的优点很多,在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元器件更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态;以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。晶问管的缺点主要有静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

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相关IC型号: NANDO2GW3B2DN6E; NAND01GW3B2AN6; NAND01GW3B2AN6E; NAND01GW3B2BN6E; NAND02GW3B2CN6E; NAND04GW3B2BN6E; NAND128W3A2BN6; NAND128W3A2BN6E; NAND256R3A2BZA6E; NAND256W3A0AN6; NAND256W3A0AZA6E

普通晶闸管是由四层半导体材料组成的

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