众所周知,具有高MEEF的图形会减少全芯片的工艺窗口,所以它们在光刻工艺中不能被忽视。R1002当复杂以及不断缩小的图形增强邻近效应,显影失败的危险,也就是所谓的MEEF指标,就会增加。对于不相容边沿图形,后OPC的MEEF指标甚至要比前0PC更差,这就打破了“OPC提高可制造性”的基本原则。虽然OPC技术的发展能够改善MEEF,但是OPC的不相容边沿图形始终在65nm以及以下的技术节点上存在。对于加I厂的公司来说,从客户那里得到光刻友好以及满足DRC条件的设计是很关键的。后OPC验证是掩膜制造前的最后一步仿真检查。然而,区分OPC可修正和不可修正的热点是非常必要的,原因是修正不同类型的热点的工作是在不同公司内完成的。我们提出一个新的方法从DFM的角度解决这个问题。采用一个图形集合软件,我们将会证实:给定一个缺陷列表,利用后OPC验证,通过比较OPC处理前后的边缘的热点的MEEF改变,有可能区分是属 于0PC问题还是设计问题,特别是对于那些间距紧密很难有空间进行调整的热点图形。我们还对CD大小变化的设计图形也进行了研究以确定MEEF的影响。