芯片污染膜在很多方面影响集成电路的正常加工和器件性能。如受金属污染的栅氧化层,TC74VHC273FS漏电流会增大,良率降低「21;污染的膜层在酸槽中刻蚀,会二次污染酸槽;污染的膜层也有可能直接或分解成有害副产物阻止下一个沉积膜对晶片的很好粘附,造成脱落;甚至在无氧环境下加热,有机膜残渣碳化,或将与硅反应在晶片L形成碳化硅(SiC)缺陷区。金属和离子污染会引起有关器件操作方面的问题。在炉管制程时,金属污染物(如铁和铜)在硅中扩散极快,假如它们由晶片表面进人硅基材,会导致器件性能降低,如少数载流子寿命降低和PN结附近漏电流增大。钠在二氧化硅中扩散快。氧化层中少量钠就会引起MOS场效应管开启电压的不稳定,也可降低闸氧化层的击穿电压。

   表9,12~是国际半导体技术蓝图(ITRS)2009年发布的晶片表面准备的技术发展要求。如表9,l所述,在2009年,关键颗粒直径是25.8nm,到⒛16年,将被缩减到11.3nm;关键问氧化层完整性(GOI)表面金属限定为0,5×10Ⅱ atoms/cm2;对于清洗后,硅和氧化硅的损失也有更加苛刻的规定,如2009年要求一次清洗小于0.4A,2o1o以后是o。3A。有关晶片表面准各的更多要求可浏览ITRS指标(http〃/www.itrs。neO。下一节,我们将讨论怎样通过各种湿法处理以达到这些要求。