如图1-4所示的前端工艺的主要加工步骤包括氧化、光刻、刻蚀、离子注入和金属化。氧化A416316BS-35/Q是将s⒑2覆盖整个晶圆表面,目的是在许多器件结构里起绝缘层作用。

   光刻技术用来确定PN结的几何结构:首先在晶圆表面覆盖一层称为抗蚀剂的紫外光(UV)光敏材料,然后在80~100℃的高温下烘烤晶圆,以便除净抗蚀剂中的溶剂,从而硬化抗蚀剂,提高其黏附性,最后用UⅤ光源透过有图形的掩膜对晶圆进行曝光。

   刻蚀主要是用氢氟酸(HF)溶液除去未受保护的sio2层面。离子注入是通过加速杂质离子到高能级,并把它们植入半导体,这样要用的掺杂物就被引入半导体内,而Sio2用来阻挡掺杂物的扩散或离子注入。金属化是用化学气相淀积或者物理气相淀积方法在晶圆表面形成金属膜,以实现欧姆接触和互连。前端工艺常常直接被称为半导体生产线,是半导体制造过程中最复杂和最关键的部分,在300mm晶圆生产线上,有60%以上的设各是采用单晶圆制造技术的集束型装备,故集束型装备的产能极大影响着半导体生产线的效率。