根据所形成电路层的不同,加工完成一层电路所采用的工序也有不同。以在硅A43L0616AV-7衬底上的指定区域内形成P型⒏为例,其过程首先将硅片清洗干净,在硅衬底上采用氧化工艺形成一层⒐o2薄膜,然后采用光刻工艺将所形成P型硅的区域(so2薄膜)暴露出来;利用刻蚀工艺将暴露的S⒑2薄膜腐蚀掉,露出硅衬底,并将硅片清洗,去除硅片表面的杂质;接着采用注入工艺将三价元素硼注入暴露出的硅衬底中;最后采用扩散工艺使注入的硼元素分布均匀,形成所需的P型硅区域。

   半导体制造业为了面对不断降低成本和提高生产力的要求,一直在晶圆加工设备方面进行技术创新。大多数晶圆加工是化学过程,近⒛多年来晶圆的尺寸越来越大,电子线路更加密集,传统的批量加工(如1批次有25片晶圆)设备很难在大面积的晶圆上控制气体或化学扩散的均匀一致,不能保证晶圆加工质量。因此,半导体制造业广泛采用单片晶圆加工技术。单片晶圆在加工模块的加工腔中加工,加工完一片晶圆后再加工另外一片。由于工艺步骤很多,而且大尺寸晶圆质量大,在加工模块之间的搬运任务量很大,人工运作很困难,且效率低,所以要把几个连续工艺步骤的加工模块组合安置在距离很近的集成真空环境中,用机械手完成卸载、运输、装载晶圆的搬运作业。这个集成加工环境即集束型装备。