yicld是一个直观的工艺成熟度的表征指标.不过在半导体生产制造中.很多时HIF3-2226SCA候直接用yield来评价工艺的好坏有很大的局限性如图17,4所示,同样的I艺缺陷,在不同的产品上可能引起不同的yield l°ss。面积大的产品,所受影响会较大,这样,用yield来衡量不同产品的I艺成熟度就不够客观。为此,缺陷密度(defect density,D0)的概念被引人。每单位面积上的缺陷个数,这就是D0的定义,它只和工艺相关,与产品面积无关。注意,这里的缺陷,指的是反映在产品最终电性测试上的失效,并非特指△艺中的物理缺陷(掉落的微粒,wafcr表面的刮伤等)。

   D0可以用于不同产品,不同工艺甚至不同生产线之间的比较,一般单位是个/in2或者个/cm2。