电镀后烘焙(Post Plating Baking)
发布时间:2017/11/23 20:51:55 访问次数:1389
电镀后烘焙(Post Plating Baking)M01215
这一步的目的是减少及延缓锡胡须的产生、因为锡胡须会造成芯片封装后成品的引脚短路,使电路系统无法正常⒈作,锡胡须要控制小于50um。烘焙温度为150℃,时问为1小时。
切筋整脚成型(Trim/From)
塑封完成后,要对整个支架做切筋及整脚成型的动作.使单个IC从整条攴架一个一个完整的分离出来,如此整个外观才算完成。
图19.31~图19.39为切筋整脚成型过程中的示意图和照片。
电镀后烘焙(Post Plating Baking)M01215
这一步的目的是减少及延缓锡胡须的产生、因为锡胡须会造成芯片封装后成品的引脚短路,使电路系统无法正常⒈作,锡胡须要控制小于50um。烘焙温度为150℃,时问为1小时。
切筋整脚成型(Trim/From)
塑封完成后,要对整个支架做切筋及整脚成型的动作.使单个IC从整条攴架一个一个完整的分离出来,如此整个外观才算完成。
图19.31~图19.39为切筋整脚成型过程中的示意图和照片。
相关技术资料- 11-23电镀后烘焙(Post Plating Baking)
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