利用多种不同的技术,在每个芯片的几十万到几千万个甚至上亿个元件中,缩小导致失效的范围。 SL1612C在深亚微米领域集成电路进行失效分析,找到失效部位并进行该部位的失效机理分析是整个失效分析中最关键的步骤之一。失效定位技术包括电测技术、无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术,通常,这些技术叉分为芯片级定位技术(global technique)和探针技术。芯片级定位技术试图确认失效引起的二次效应。分析实验室常用热探测技术探测失效,检测短路或漏电部位引起的发热点;光反射显微镜检测芯片上失效部位因电子一空穴复合产生的发光点。

   物理分析/化学分析

   通过样品制备,如Cleave、研磨、干湿法剥层(delayering)、聚焦粒子束(ΠB)等,利用一系列光子束(高倍显微镜)、电子束(扫描电子显微镜,透射电镜)、化学元素成分分析(EDX)和表面分析(Auger、XPS、⒊Ms等)设备观察失效部位的形状、大小、位置、颜色、机械和物理结构、特性、成分及分布等,科学地表征和阐明与上述失效模式有关的各种失效现象。