在器件外部实施了相应的非破坏性分析后,便可以进行半破坏性分析。主要包括: SI9979DS

   (1)开封:电子器件两类常用的开封方法是机械方法和化学方法。半破坏分析常用化学方法中的自动(Jet Etch;塑封器件喷射腐蚀开封)开封,一般用于环氧树脂密封的器件。即对器件进行部分开封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、管脚和内引线和压焊点的完整性及电学性能完整,为后续失效定位做准备。lJxl此,也常被归在失效定位的范畴内。此步骤的关键是保持器件的电学特性开封前后的一致性。

   (2)内部检查:立体显微镜;低、高倍显微镜和扫捕电镜观测。

   (3)复测电特性,验证失效情况。

   (4)真空烘焙(叮选):当故障可能是由离子污染或迟缓状态/束缚电荷泄漏路径如反型层及由使芯片上的电荷分散引起时,对半导体器件进行高温烘焙呵以“治愈”或逆转变坏的电气特性,这表明器件失效是由于制造缺陷所引起。而在低温真空干燥后,器件如果复原,则报告的失效则可能是由于外表面曾吸附或聚集了潮气。Jet Etch后的塑封器件(在封装上打一个孔)进行低温烘焙能除去封装内部的潮气和挥发性气体。随后的电性复原,说明内部存在潮气或挥发性污染物。105mmHg,150~250℃条件下烘焙两小时,测量并记录由烘焙所引起漏电流的任何变化(optional)。再进行电学检验复测。

要注意的是:步骤5和步骤6(非破坏忤分析和半破坏性分析),理想状况下不会引起被分析器件电学特性变化,但是随着器件功能的复杂化、物理尺寸的精细化、器件封装技术的发展(chip scale package)和应用要求、X射线探测,严格意义~I二,不是绝对无损分析,由于它产生的高能童粒子,很可能使样品损伤,或者不适用再做试验。对某些敏感器件,如内存,可能l9xl辐射损伤引起细微的参数漂移或引起产品功能退化、甚至失效。开封可能引起的器件连接性(continui1y)失效,Bond Pad腐蚀等,常常有类似报道。lJxl此,引人电学性能检验/复测是必要的。