2010年,爱尔兰T”山ll国家研究所的J,P。Colinge等人成功研制了三栅无结场效应晶体管, PAM2310器件结构如图1.15所示「36]。从此,半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮,每年的国际电子器件会议(IEDM)及IEEE杂志均有该器件的研究报道E37~刚。Intel公司也对无结场效应晶体管表现出强烈的兴趣[51]。

   图1.15 J P,Cohngc等人研制的t栅无结场效应晶体管器件结构示意图⒛11年,新加坡IME的P。Singh等人研制成功圆柱体全包围栅无结场效应晶体管,其器件制造工艺与前面介绍的GAAC器件I艺非常接近。相较于传统I作于反型模式的圆柱体全包围栅场效应晶体管,该器件表现出更加优异的电学性能、极低的低频噪声及高可靠性[52]。