样品表面电位差引起的电压衬度
发布时间:2017/11/15 20:50:52 访问次数:906
除了与人射能量有关外,还与二次电子束与试样表面法向夹角有关,三者之间满足以下关系。可见,T05-007D人射电子束与试样夹角越大,二次电子产额也越大。这是因为随角的增加人射电子束在样品表层范围内运动的总轨迹增长,引起价电子电离的机会增多,产生二次电子数量就增加;其次是随着汐角增大,入射电子束作用体积更靠近表面层,作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多,从而二次电子的产额增大。二次电子像衬度:电子像的明暗程度取决于电子束的强弱,当两个区域中的电子强度不同时将出现图像的明暗差异,这种差异就是衬度影响二次电子像衬度的因素较多,主要有表面凹凸引起的形貌衬度(质量衬度).样品表面电位差引起的电压衬度(VC),原子序数/不同材料差别引起的成分衬度。通常.二次电子对原子序数的变化不敏感。
除了与人射能量有关外,还与二次电子束与试样表面法向夹角有关,三者之间满足以下关系。可见,T05-007D人射电子束与试样夹角越大,二次电子产额也越大。这是因为随角的增加人射电子束在样品表层范围内运动的总轨迹增长,引起价电子电离的机会增多,产生二次电子数量就增加;其次是随着汐角增大,入射电子束作用体积更靠近表面层,作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多,从而二次电子的产额增大。二次电子像衬度:电子像的明暗程度取决于电子束的强弱,当两个区域中的电子强度不同时将出现图像的明暗差异,这种差异就是衬度影响二次电子像衬度的因素较多,主要有表面凹凸引起的形貌衬度(质量衬度).样品表面电位差引起的电压衬度(VC),原子序数/不同材料差别引起的成分衬度。通常.二次电子对原子序数的变化不敏感。
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