对于前两步铜抛光所用研磨液的基本要求是:较高的去除速率、平坦化能力、对阻挡Q1900C-1N层和介质层较高的选择性以及抗腐蚀和缺陷控制能力等。铜抛光研磨液分为酸性、中性和碱性三种,其中的研磨颗粒通常是A12()∴或⒏O?,氧化剂是H20∶,并含有抗腐蚀抑制剂,通常是BTA(三唑甲基苯)以及其他添加物,详见表⊥l。2。由于Cu的电化学势要明显高于Al和W,另一方面铜的硬度要明显低于研磨液中研磨颗粒的硬度(如A12()s或⒏02)。所以,用于Cu CMP的研磨液需要既能氧化铜叉不能侵蚀铜。①通过研磨液的化学作用,在其表面形成几个原子层厚度的较硬的氧化铜,同时叉溶解圆之间的相对转动和研磨液源源不断的加人将含有氧  图l],⊥3 铜研磨的电化学反应化铜的溶液冲走。

   表11,2 主流铜研磨液的主要成分及作用