- 铜通孔刻蚀2017/11/4 11:39:51 2017/11/4 11:39:51
- 当CM()s逻辑电路I艺持续大幅度地缩小到65nm及以下⒈艺节点,铜互连和低虑介质替代铝连接被广泛集成到了后端工艺中。这是囚为铜的电阻率小,MC145442BDW以及低虑材料的介电常数低的缘故。...[全文]
- 钨接触孔刻蚀2017/11/4 11:33:40 2017/11/4 11:33:40
- 当先进的逻辑电路尺寸缩小到65nm及以下丁艺节点时,接触2层已经开始在功能强大的集成电路中起到关键作用。在钨接触孔刻蚀丁艺中,侧壁形状的控制、CD均匀性、M82C54-2对下层的选择性和确保接触...[全文]
- 使用变频器上装设的SDP可进行以下操作2017/11/3 22:28:33 2017/11/3 22:28:33
- 使用变频器上装设的SDP可进行以下操作：GLF2012T220K1)起动和停止电动机（数字输入DIN1由外接开关控制）；2)电动机反向（数字输入DIN2由外接开关控制...[全文]
- MM440变频器在标准供货方式时装有SDP2017/11/3 22:27:16 2017/11/3 22:27:16
- MM440变频器在标准供货方式时装有SDP。对于很多用户来说利用SDP和制造厂的默认设置值就可以使变频器成功地投入运行，如果工厂的默认设置值不适合用户的设备情况，GLF2012T1R0M可以利用...[全文]
- 泛林半导体2017/11/2 20:12:52 2017/11/2 20:12:52
- LamResearch在1992年就获得了TCP技术的专利,到⒛10年,该技术在32nm及以下I艺节点中一直扮演着重要的角色。⒛04年推出了用于65nm的23∞Ki四系列,VSC8242HX它除...[全文]
- 掩膜版输运分系统2017/10/29 14:00:44 2017/10/29 14:00:44
- 掩膜版输运分系统的主要功能是对掩膜版进行预对准、表面缺陷、沾污进行扫描和报警以及将掩膜版输送到掩膜版移动平台上。系统测量与校正分系统V8A525-1A2系统的校正与测...[全文]
- 掩膜版三维尺寸效应2017/10/29 13:56:20 2017/10/29 13:56:20
- 前面讲到的仿真也好,空间像计算也好,都是假设了掩膜版是一块没有厚度的空间滤波器,V7233/2或者薄掩膜版近似(ThinMaskApproximation,TMA)。当掩膜版尺寸小到同波长可以比...[全文]
- 狄利克雷条件示意图2017/10/29 13:40:29 2017/10/29 13:40:29
- 有了式(739)的结果,光刻机的成像的第一步完成了,将掩膜版被照射后发射出的衍射光的强度和角度计算出来了。也就是在图7.52中从掩膜版平面计算到了光瞳位置。V62C5181024LL-35在光瞳...[全文]
- 随着半导体工艺的发展,稳压电路也制成了集成器件2017/10/27 21:24:36 2017/10/27 21:24:36
- 随着半导体工艺的发展,稳压电路也制成了集成器件。由于集成稳压器具有体积小、Z8FMC04100QKSG外接线路简单、使用方便、工作可靠和通用性强等优点,因此在各种电子设备中应用十分普遍,基本上取...[全文]
- LC正弦波振荡器实验电路2017/10/27 21:22:56 2017/10/27 21:22:56
- 从正弦波振荡器结构上看,电路是没有输人信号、带选频网络的正反馈放大器。Z8FMC04100QKEG若用R、C元件组成选频网络,就称为RC振荡器,一般用来产生lHz~1MHz的低频信号,而用L、C...[全文]
- 使用万用表欧姆挡,对照实验原理图2017/10/27 21:12:41 2017/10/27 21:12:41
- 在正常的情况下,连接好实验线路,即可开始实验测量I作。但也常常会出现一些意想不到的故障,Z8F042ASB020EG必须首先排除故障,以保证实验的顺利进行。在电路实验中,常见的是实验线路故障,查...[全文]
- 任何电路实验都有一定的目的2017/10/27 20:53:43 2017/10/27 20:53:43
- 任何电路实验都有一定的目的,并为此提出实验任务。预习时,要恰当地应用基本理论,UA723CDR明确实验目的,掌握实验原理,并综合考虑实验环境和实验条件,分析所设计的实验,提出任务的可行性,最后预...[全文]
- 消除光刻胶底部的反射光一般采用底部抗反射层2017/10/26 21:19:37 2017/10/26 21:19:37
- 图7,32常用的光学邻近效应修正模型建立所用的定标图形以及线宽测量位置优化抗反射层的厚度。S9S08SG8E2MTJR由于光刻胶同衬底的折射率(″和花值)的差异,一部分照明光会从光刻胶和衬底的界...[全文]
- MEF有更加简单的表达式2017/10/26 21:06:19 2017/10/26 21:06:19
- 对于交替相移掩膜版(AlternatingPhaseShiftingMask,AltPSM),MEF有更加简单的表达式,其中,空间周期p(拟/(2NA),CD指的是硅片上的线宽,a指的是掩膜版上...[全文]
- 影响对焦深度的因素主要有几点2017/10/26 20:59:05 2017/10/26 20:59:05
- 影响对焦深度的因素主要有几点:系统的数值孔径、照明条件(Ⅱltlmillcao∞colldhon)、S1226-8BQ形的线宽、图形的密集度、光刻胶的烘焙温度等。如图7.22所示,根据波动光学,...[全文]
- 在PNL的基础上叉有两个改进工艺LRW(low resistallce W)和PNLxT2017/10/23 20:49:09 2017/10/23 20:49:09
- 在PNL的基础上叉有两个改进工艺LRW(lowresistallceW)和PNLxT。LRW是在PNL完成后加了一步B2H6和WF6反应,主要作用是增大晶粒。PNI'xT是在PNL反应过程中通入...[全文]
- 一个典型的应力临近技术工艺流程如下2017/10/22 11:15:14 2017/10/22 11:15:14
- 形成后去除,然后沉积双极应力刻蚀阻挡薄膜。这样就可以最小化上面所提及的潜在问题。一个典型的应力临近技术工艺流程如下:TC74HC10AFN(1)包括自对准硅化物形成在...[全文]
- 由于CVD工艺生长的嵌入式碳硅工艺具有一定的困难度2017/10/21 13:12:30 2017/10/21 13:12:30
- 化学气相沉积形成的嵌人式碳硅I艺在原位N型原子掺杂上也有优势,比如磷的掺杂。K4S641632N-LC75文献[16]报道了一个成功的例子,使用原位磷掺杂碳硅工艺来提高NMOS器件的性能(见图5...[全文]
- 普通晶闸管是由四层半导体材料组成的2017/10/20 21:29:50 2017/10/20 21:29:50
- 晶闸管自从⒛世纪m年代问世以来已经发展成了一个大的家族。它的主要成员有单向晶闸管、NANDO2GW3B2DN6E双向晶间管、光控晶间管、逆导晶闸管、可关断晶闸管及快速晶闸管等。普通...[全文]
- 检查绝缘电阻及绝缘电压2017/10/20 21:10:37 2017/10/20 21:10:37
- 检查绝缘电阻及绝缘电压。N82802AB8首先用R×10k挡测量脚1与脚6之间、脚2和脚6之间的绝缘电阻,都是无穷大。然后用ZC11-5型兆欧表提供z~sO0Ⅴ的测试电压‰c,绝缘电阻应大于10...[全文]
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