对于交替相移掩膜版(Alternating Phase Shifting Mask,Alt PSM),MEF有更加简单的表达式,其中,空间周期p(拟/(2NA),CD指的是硅片上的线宽,a指的是掩膜版上的线宽。S29JL064H90TFI00如果将式(721)作图,我们可以得到图7.23的结果。由此可见,MEF随空间周期的变小而迅速变大,随着光酸扩散长度的变长而变大。

   如果已知式(721)中除光酸扩散长度之外的所有参量,可以通过实验数据拟合来求得光酸的扩散长度。结果得出在砝0s的后烘下,某型193nm光刻胶的光酸扩散长度为27nm;在60s的后烘下,扩散长度变为33nm。而且由于数据的精确性,光酸的扩散长度的测量精度为±2nm。这比以往测量方式的精度提高了一个数量级,如图7.24所示[15]。掩膜版误差因子还可以用来计算线宽均匀性对掩膜版线宽的要求,以及光学邻近效应修正中二维图形间距规则设定。对于线端缩短的二维图形,如图7.25所示[16],通过简单的点扩散 函数的计算以及对光酸扩散进行一定程度的近似,可以得到一个接近解析的线端光学邻近效应公式.