对于部分相干光照明,可以将式(723)对=1和2做一个平均(事实证明结果很精确)。 S-3510ANFJA当然,这里采用了一些近似是为了物理含义更加清晰

地展示出来。把式(723)代人式(722),对一个给定的间隙ga夕测得值g勿夕(anchor),便可以通过简单的迭代法循环得到在逐渐缩小的间隙下的MEF值和间隙值,直到MEF发散。我们知道,这意味着线端在硅片光刻胶上的像融合在一起了,这在光刻工艺中是需要避免的。

   图7,26显示了以上讨论的简单的、基于点扩散函数的理论同实验结果的比较情况,可以看到,在仅仅只有一个拟合参量,光酸扩散函数夕和每个线宽一个定标点的前提下,理论同实验的符合程度很好。此结果说明线端缩短同光酸的扩散长度、线宽有很大关系,同具体的照明条件没有很大的关系。还可以算出在这4种情况下(110nm、130nm、150nm和180nm线宽),在什么掩膜版的间隙下,硅片上的间隙会发生融合。由于对于110nm和130nm线端,在70nm间隙时仍然有大于110nm的硅片上的间隙(图7.26),而这是掩膜版上最小的间隙尺寸,在这次实验中,我们无法得到融合发生的信息。但是,对于150nm和180nm的孤立线端,从实验中可以发现,分别在80nm和110nm时,线端发生融合(merge)。理论计算值分别为80nm和100nm,如图7.27所示。由于迭代的步进长度为10nm,由此可见,这个简单的算法对预言线端融合的位置还是很精确的。