在几何微缩(ge。methc scaling)中,首先遇到的问题是光刻技术中的挑战。光刻工PT4115BSOH艺是集成电路制造过程中最直接体现其△艺先进程度的技术,光刻技术的分辨率(res。lution)是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸,是决定光刻系统最重要的指标,也是决定芯片最小特征尺寸的原因。

   因而提高光刻分辨率的途径有:①减小波长^;②增加数值孔径(NA);③减小乃l。随着集成电路的发展,为适应分辨率不断减小的要求,光刻工艺中应用的光波的波长也从近紫外(NUV)区间的436nm、405nm、365nm波长进人到深紫外(DUV)区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。其中248nm光刻采用的是KrF准分子激光,首先用于0.25um制造工艺,经过研究人员的努力,248nm光刻技术可以完全满足0.13um制造工艺的需求。

   193nm光刻采用的是ArF准分子激光,传统的193nm光刻技术主要用于0,l1um、90nm以及65nm的制造工艺。1999年版的ITRS曾经预计在0.10um制造工艺中将需要采用 157nm的光刻技术,但是目前已经被改良的193nm技术和193nm浸人式光刻技术所替代。这可以归功于分辨率技术的提高,尤其是浸人式光刻技术在45nm技术节点上的应用。