栅氧和多晶硅栅的形成
发布时间:2017/10/14 11:04:07 访问次数:1514
栅氧和硬掩模栅层叠示意图如图3.6所示。用湿法去掉Sac°x以后,通过热氧化生长第一层栅氧(为了高质量和低内部缺陷),然后形成打开核`b区域的掩模(通过使用掩模core),接着浸人到HF溶液中,随后在核心区域通过热氧化的方式生长晶体管的第二层栅氧。注意到I/O区域经历了两次氧化,R1EX24256BSAS0G因此正如所期待的,I/O晶体管的栅氧要更厚一些。
栅氧和硬掩模栅层叠示意图如图3.6所示。用湿法去掉Sac°x以后,通过热氧化生长第一层栅氧(为了高质量和低内部缺陷),然后形成打开核`b区域的掩模(通过使用掩模core),接着浸人到HF溶液中,随后在核心区域通过热氧化的方式生长晶体管的第二层栅氧。注意到I/O区域经历了两次氧化,R1EX24256BSAS0G因此正如所期待的,I/O晶体管的栅氧要更厚一些。
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