- 存储器芯片的选择2016/7/7 22:06:31 2016/7/7 22:06:31
- 存储器系统设计时首先要考虑的是存储器芯片的选择,考虑的因素主要是存储器的类型、AFB0305HA-AF00芯片的容量、芯片的读/写速度等。1.类型根据实际应用需要,考...[全文]
- NOR和NAND FlⅡh存储器的使用区别2016/7/7 21:56:16 2016/7/7 21:56:16
- >中的指令,AFB02512HA-A这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的性价比,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。实用中当...[全文]
- 字译码结构2016/7/6 22:14:19 2016/7/6 22:14:19
- 图2.3为一个简单的4×4位的MOsROM。采用字译码方式,两位地址输入,经译码后,输出4条选择线,每一条选中一个字,位线输出即为这个字的各位,即数据线。ACPF-7002-SG1G在图示的存储...[全文]
- 虚拟仪器2016/7/5 22:37:10 2016/7/5 22:37:10
- 虚拟仪器是用来完成信EC-A951B号测量和观察的虚拟设各,单击绘图工具栏下的遛图标(Ⅵrlualnstmmcntsmodc),就可以选择各种虚拟仪器。常用的虚拟仪器要有以下几种。...[全文]
- Proteus Design suite软件介绍2016/7/5 22:24:14 2016/7/5 22:24:14
- ProtcusDcsignSuitc是英国Labccntcr公司开发的电路及单片机系统设计与仿真软件。Protcus可以实现数字电路、模拟电EC4101-G路及微控制器系统与外设的...[全文]
- 微型计算机的发展2016/7/4 22:09:12 2016/7/4 22:09:12
- 计算机(Colnputcr)又称电脑,是⒛世纪最重要的科技成果。电子计算机通常可分为巨型机、DSSK48-003BS大型机、中型机、小型机、微型机5类。其中微型机具有体积小、重量轻、结构灵活、价...[全文]
- 模型参数提取2016/7/3 17:52:07 2016/7/3 17:52:07
- 模型参数/、尻需要进行试验提取。在一恒NTB75N06定电场下,分别在3个不同的温度点测量一批栅氧化层的寿命,在对数正态坐标上提取中位失效时间π1、%l和%1,在半对数坐标上画出中位寿命△1、%...[全文]
- 集成电路工艺失效机理的可靠性评价2016/7/2 18:57:06 2016/7/2 18:57:06
- 按照GB/T9178,集成电路的定义是具有高等效电路元件密度的一种小型化电路,AD8061AR它可视作由一个或多个基片上的互连元件组成且能执行某种电子线路功能的独立器件。随着超大规模集成电路工艺...[全文]
- 栅氧化层厚度不同时沟道横向电场的分布2016/7/2 18:50:38 2016/7/2 18:50:38
- 栅氧厚度在3.2~‰m范围内,横向电场的分布变化不大,最大的横向电场的位置保持不变,处在漏端(F0.54um)附近。但氧化层厚度减薄,使得氧化层中的纵向AD8056ARM电场增大,这有利于电子注...[全文]
- MOs电容的能带和电荷分而 2016/6/30 21:48:00 2016/6/30 21:48:00
- MOS电容由金属层(Metal)、氧化层(Oxide)和半导体(Semi∞nductor)衬底组成。M0334RJ200由于所有半导体元器件的可靠性、稳定性与表面特性有密切的关系,在研究半导体表...[全文]
- 漏感应势垒降低(DIBL)效应2016/6/30 21:41:10 2016/6/30 21:41:10
- 电路设计者要根据需要采用合适的方法对阈值电压Vm源极不接地的情况的变化加以补偿阈值电压的作用:在栅极下面的si区域中形成反型层,克服s⒑2介质上的压降。M0310YH350降低阈值电压的措施包括...[全文]
- 恒定电压等比例缩小规则2016/6/29 21:05:35 2016/6/29 21:05:35
- 在实际应用中,恒定电场等比例缩小规则常常受到限制。因为用集成电路构成系统时,H5TQ4G63AFR-PBC考虑到与其他相关部件的兼容,电压并不能随意地缩放。事实上,直到20世纪⒛年代初期,5V还...[全文]
- 版图验证和后仿真2016/6/29 20:56:16 2016/6/29 20:56:16
- 版图设计完成以后必须进行版图的验证,以保证设计的版图与设计电路一致,H27UCG8T2BT同时没有违背晶圆厂的设计规则。版图验证的流程如图8。⒛所示。设计规贝刂检查(DesignR...[全文]
- MOs管的Dummy2016/6/28 23:15:18 2016/6/28 23:15:18
- MOs管的Dummy在MOS管的两侧增加DummyPOly,避免栅的长度受到影响,如图8.17所示。ADR510ART-R2当要加保护环时,对NMOS管先加P型保护环连接到地,接着...[全文]
- 斜坡电压测量的寿命时间计算2016/6/27 22:07:40 2016/6/27 22:07:40
- 假设恒定电压应力条件下和斜坡电压应力条件下产生击穿时的电荷量是相同的,BP3102于是恒定电压下的击穿时间与斜坡击穿电压之间通过的电荷量相等,可以表示如下:r:D是击...[全文]
- 典型电流密度范围2016/6/26 20:07:39 2016/6/26 20:07:39
- 典型电流密度范围:1×106~3×107A/cm2(10~300mA/um2);最大反馈控制时间:500ms(以保证测试有合理的精确度和足够的控制);最小反馈控制时间:50ms,IXFN100N...[全文]
- 测试氧化层测试结构2016/6/25 22:44:04 2016/6/25 22:44:04
- 在设计和测试氧化层测试结构时,应当考虑到表面漏电流产生的误差。表面漏DAC08CS电可以表现为氧化层测试结构的测试点之间的低电阻值,实际漏电位置与设计有关,可能是测试点之间的直接漏电,或者连接到...[全文]
- 选择性焊接工艺应运而出2016/6/24 22:34:15 2016/6/24 22:34:15
- 通孔元器件的选择性焊接。通常是SMT元器件己占主导,而通孔元器件只占PCBA上所有元器件中很小的比重,而且此种安装方式在相当长时期内还将持续下去。E32-TC200AR显然,业界为追求产品生产质...[全文]
- 氟和硼对NBTI效应的影响2016/6/21 22:59:19 2016/6/21 22:59:19
- 比0通常出现在芯片的接触孔和通孔形成过程中,当圆片被刻蚀和清洗时,通过毛细作用将水送入到小孔中,OF140SD50D主要问题在于如何将水从孔中取出来。氮气环境下,200℃烘烤、时间长于2绌,通常...[全文]
- 减弱热载流子注入效应的应对措施2016/6/20 21:04:05 2016/6/20 21:04:05
- (1)计算机工艺模拟技术和准恒定电压的工艺设计。为了使器件性能得到最佳,HB139思路之一是考虑使用计算机辅助技术,开发适当的模拟技术,可以在确定的沟道长度、结深及电源电压的条件下,通过选择栅氧...[全文]
热门点击
- 漏感应势垒降低(DIBL)效应
- 电子产品划分为以下3个级别
- MOs管的Dummy
- 多层PCB用半固化片(Prepreg)简
- MCP文件的格式
- Proteus Design suite
- 光弹效应
- 助焊剂的分类
- MOs电容的能带和电荷分而
- 减弱热载流子注入效应的应对措施
IC型号推荐
- AFCT-5760NLZ
- AFCT-5760NPZ
- AFCT-5760PZ
- AFCT-5760TLZ
- AFCT-5760TPZ
- AFCT-5765ALZ
- AFCT-5765ANLZ
- AFCT-5765ANPZ
- AFCT-5765APZ
- AFCT-5765ATLZ
- AFCT-5765ATPZ
- AFCT-5765LZ
- AFCT-5765NLZ
- AFCT-5765NPZ
- AFCT-5765PZ
- AFCT-5765TLZ
- AFCT-5765TPZ
- AFCT-57J5APZ
- AFCT-57J5ATPZ
- AFCT-57M5ATPZ
- AFCT-57R5APZ
- AFCT-57R5ATPZ
- AFCT-57V6ANSZ
- AFCT-57V6USZ
- AFCT-5805AZ
- AFCT5805BZ
- AFCT-5805BZ
- AFCT-5805CZ
- AFCT-5805DZ
- AFCT-5815AZ
公网安备44030402000607
