MOS电容由金属层(Metal)、氧化层(Oxide)和半导体(Semi∞nductor)衬底组成。M0334RJ200由于所有半导体元器件的可靠性、稳定性与表面特性有密切的关系,在研究半导体表面特性时,MOS电容是最常用的基本结构,其结构如图9.8所示。

   (a)MOs电容组成               (b)MOS电容的结构

   图98 MOs电容及等效电路图

   MOs结构实际就是一个电容,因此当金属与半导体之间加电压后,在金属与半导体相对的两个面上就要被充电。两者所带的电荷符号相反,电荷分布情况也很不同。在金属中自由电子密度很高,电荷基本分布在一个原子层的厚度范围内;而在半导体中,自由载流子的密度要低得多,电荷必须分布在一定厚度的表面层内,这个带电的表面层称为空间电荷区。在空间电荷区内电场逐渐减弱,到空间电荷区的另一端电场减小为零。另一方面空间电荷区内的电势也会随距离逐渐变化,因此半导体表面相对体内产生电势差,同时能带也发生弯曲。称空间电荷层两端的电势差为表面势。表面势及空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半导体间所加的电压/Gs而变化,可以分为堆积、耗尽和反型3种状态。