比0通常出现在芯片的接触孔和通孔形成过程中,当圆片被刻蚀和清洗时,通过毛细作用将水送入到小孔中,OF140SD50D主要问题在于如何将水从孔中取出来。氮气环境下,200℃烘烤、时间长于2绌,通常用来形成良好的接触孔和通孔电阻。水和湿气通常沿界面前进,使水成为光刻和版图有关的产生NBTI效应的关键因素。关键路径的失效可以引起老化期间成品率降低和器件工作特性变差,因此必须减小工艺中水的存在。

   氟和硼对NBTI效应的影响。氟对MOs器件有许多好处,如改善抗HCI能力、提高介质可靠性等,而且氟也减弱了器件中的NBTI效应。IBM的Hook的研究表明氟减小了NBTI效应,并且这个减小程度随着注入氟剂量的增加而增加。C.H。Liu也观察到了NBTI效应的改善。但是这些有利因素需要和一些不利因素综合考虑,诸如在栅氧中硼扩散的增强和在器件中产生更高的结漏电流。