①瞬时击穿,电压一加上去,电场强度达到或超过该介质材料所能承受的临界场强, AD9851BRS介质中流过的电流很大而马上击穿,叫本征击穿。实际栅氧化层中,某些局部位置厚度较薄,或者存在空洞(针孔或盲孔)、裂缝、杂质、纤维丝等疵点,电场增强,它引起的气体放电、电热分解等产生介质漏电甚至击穿,由这些缺陷所引起的介质击穿叫非本征击穿。

   ②与时间有关的介质击穿(△mc Depcndent Dielectric Brcakdown,TDDB),施加的电场低于栅氧的本征击穿场强,并未引起本征击穿,但经历一段时间后仍发生了击穿。这是由于施加电应力过程中,氧化层内产生并积聚了缺陷(陷阱)的缘故。

   在氧化层较厚时,栅极材料采用铝,这时栅氧击穿有两种形式。由铝的熔点低且铝层很薄,栅氧某处发生击穿时,生成的热量将击穿处铝层蒸发掉,使有缺陷的击穿处与其他完好的so2层隔离开来,这叫自愈式击穿。另一种是毁坏性击穿,铝彻底进入氧化层,使氧化层的绝缘作用完全丧失,产生短路现象。

   当栅氧较薄时,栅电极采用多晶硅材料或金属制作,栅氧的击穿与硅中杂质、氧化工艺、栅极材料、施加电场大小及极性等因素有关,击穿的情况可分为A、B、C三种模式。A模式的场强一般在1MV/cm以下,它是由于栅氧中存在针孔引 起的。B模式的击穿场强大于2MV/cm小于8MV/cm,一般认为是由于Na+沾污等缺陷引起的。C模式的击穿场强大于8MWcm,为本征击穿。