位置:51电子网 » 技术资料 » 单 片 机

电场作用下Hρ中的界面陷阱的去钝化

发布时间:2016/6/21 22:57:49 访问次数:538

   日立的Usllo等人做了一级分子计算来OF140SD100D分析空穴陷阱反应,通过空穴陷阱之间总的分子能量减去在空穴陷阱后的空穴反应能量来确定空穴陷阱的反应能量。

   

   图5⒛ 电场作用下Hρ中的界面陷阱的去钝化


   键的配置如图5.21所示。图5.21(a)显示在Sio2中通过H建立的界面陷阱的键配置。图5.21(b)显示在S⒑2中通过H20建立的界面陷阱的键配置。图5.21(c)显示在siOdy中通过H20建立的界面陷阱的键配置。

   结果发现水比氢有较低的反应能。H20、0和N空位通过反应将oH插入到空位中,并且产生一个氢原子使空穴陷阱态稳定。H原子与附近的Si―H键中的H组 合形成了界面态,最终的反应产物是nt、0和H2。因此得出结论:与H20有关的反应在si/s⒑dy界面比在si/so2界面有着更低的能量,在氧化层中含N和含H20都增强了NBTI效应。



   日立的Usllo等人做了一级分子计算来OF140SD100D分析空穴陷阱反应,通过空穴陷阱之间总的分子能量减去在空穴陷阱后的空穴反应能量来确定空穴陷阱的反应能量。

   

   图5⒛ 电场作用下Hρ中的界面陷阱的去钝化


   键的配置如图5.21所示。图5.21(a)显示在Sio2中通过H建立的界面陷阱的键配置。图5.21(b)显示在S⒑2中通过H20建立的界面陷阱的键配置。图5.21(c)显示在siOdy中通过H20建立的界面陷阱的键配置。

   结果发现水比氢有较低的反应能。H20、0和N空位通过反应将oH插入到空位中,并且产生一个氢原子使空穴陷阱态稳定。H原子与附近的Si―H键中的H组 合形成了界面态,最终的反应产物是nt、0和H2。因此得出结论:与H20有关的反应在si/s⒑dy界面比在si/so2界面有着更低的能量,在氧化层中含N和含H20都增强了NBTI效应。



相关IC型号
OF140SD100D
暂无最新型号

热门点击

 

推荐技术资料

硬盘式MP3播放器终级改
    一次偶然的机会我结识了NE0 2511,那是一个远方的... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!