硼会导致NBTI效应的增强,因为来自栅掺杂和源漏注入的硼会扩散到栅氧中。 OF140SG100D将硼隔离在栅氧之外则观察到了明显的NBTI寿命改善,硼穿通导致了固定电荷的增加,但是抑制了界面态产生。界面态的减少是因为BF2注入中si―F键的形成。增强的o是由于硼在氧化层中增强了氧化层缺陷,如能抑制栅氧中的硼穿通,使用BF2注入与标准的B注入相比可以获得几乎高出一倍的器件寿命改善。

   硅原料。NBTI效应与栅极材料无关,但与硅的材料方向有关,通常由于较少的Pb中心,(100)硅较(11D硅要好。⊥些研究表明,在(11ω面上制作的PMOsFET器件有较好的性能。与(100)硅比较,在(110)硅中PMOsFET的NBTI灵敏度要较差。透射电子显微镜的横截面显示,表面粗糙度可能在NBTI灵敏度之间发挥了作用,据此推测使用更仔细的栅氧化方法可以克服这些问题。

   除了起始材料的取向,一些工艺步骤也能引起暴露表面的方向变化,这可能会变得对NBTI更加敏感。鸟嘴边缘处过多的局部氧化(LOCOs)应力以改变(1o0)硅到(11D硅,浅沟槽隔离(STI)在沟槽边缘处均可以改变(100)硅到(11o)硅。这两种效应影响栅氧化层厚度、应力和氧化层电荷,随着器件尺寸的不断缩小,这些曲面占晶体管有源区的比例更高。这些区域的局部应变可以改变NBTI诱导陷阱产生的激活能。预计这会导致电路NBTI灵敏度依赖模式的变化。此外,栅极预清洗对栅极氧化层的质量也有影响,不正确的清洗可能留下污染物或损伤点,影响NBTI和1r噪声。改善NBTI的一个方法是在栅极氧化物生长之前在硅的表面进行预处理。