(1)计算机工艺模拟技术和准恒定电压的工艺设计。为了使器件性能得到最佳,HB139思路之一是考虑使用计算机辅助技术,开发适当的模拟技术,可以在确定的沟道长度、结深及电源电压的条件下,通过选择栅氧化层厚度、沟道注入浓度及衬底浓度,达到器件的开启电压、驱动电流的设计指标,并把短沟道效应限制在可接受的范围内。再由可靠性的要求修正电源电压,直到高性能及高可靠性的要求均能达到为止。

   另一种思路是对CV理论进行修正,即准恒定电压理论,满足开启电压可控及高电场效应足够小两方面的要求,这实际上是一种根据实际工艺能力的最佳设计。具体做法是要求电源电压及其他电压量按Vt变化,以实现上述对电压的要求。按照√万并没有明确的物理意义,但它与目前半导体工业中电源电压下降的速度比较接近。

   (2)LDD结构抑制热载流子效应。为了抑制短沟道效应和热载流子效应,通常采用轻掺杂(ughtly Dopcd Drain,LDD)结构,其主要特点是在沟道末端和原有漏区之间引入了轻掺杂漏区。

   LDD结构的引入,降低了沟道与源(与漏对称)区结合部位的浓度梯度。事实上,LDD区域起着浓度缓冲的作用。重要的是,LDD区域的存在,显著地降低了沟道与源、漏区结合部位的电场强度,并将场强的峰值位置移向沟道末端,从而抑制热载流子的横向迁移,抑制了热载流子效应对栅氧层的侵害。同时,因为M区为浅结,也起到降低短沟道效应的效果。