氧化层的击穿机理(过程),目前认为可分为两个阶段,第一阶段是建立(磨损)阶段,在电应力作用下,HB15-1.5-A氧化层内部及Sys⒑2界面处发生缺陷(陷阱、电荷)的积累,积累的缺陷(陷阱、电荷)达到一定程度以后,使局部区域的电场(或缺陷数)达到某一临界值,转入第二阶段,在热、电正反馈作用下,迅速使氧化层击穿。栅氧寿命由第一阶段中的建立时间所决定。

   对电应力下氧化层中及界面处产生的缺陷,一般认为是电荷引起的,对电荷的性质,有如下的几种看法:杂质离子模型。在氧化层两端的电场作用下,正离子(如钠离子)移动到阴极。这会增加该电极的局部电场,减少了si/So2界面势垒。因此,杂质离子的增加导致了击穿。

   正电荷积累模型。注入电子在s⒑2中被俘获,或者发生碰撞电离,产生电子一空穴对,也可能产生新的陷阱;空穴在向阴极漂移过程中被氧化层陷阱俘获,产生带正电的空穴积累,另外电子注入界面处使Si―0、si―H键断裂产生正电荷的gt、么t。因为正电荷的积累,增强了阴极某处的场强,它使隧穿的子流增大,导致空穴进一步积累。这样正电荷的积累和隧穿电子流的增加形成一个正反馈,最终引起Sio2的击穿,这就是正电荷积累模型。