- 使用寿命缩短2016/8/13 23:18:03 2016/8/13 23:18:03
- 半导体器件本身的特性与其温度紧密相关,LED随结温的升高发光效率快速下降,寿命缩短。LED结温在高于正常能承受的温度时,会产生不可恢复的永久性的衰变。促使高AK4506-VS温下L...[全文]
- 理想面光源与远场光源仿真对比2016/8/12 21:28:46 2016/8/12 21:28:46
- 然而对于实际的LED光源器件,特别是对于白光LED光源,由于电极设置、芯片结AFB0412VHB-TP25构以及荧光粉涂敷方式等影响,一般LED的真实出光状态,其表面的能量和颜色并不是均匀分布的...[全文]
- 万用表是电子技术实验中必不可少的工具2016/8/11 21:04:07 2016/8/11 21:04:07
- 万用表是电子技术实验中必不可少的工具,应用范围极其广泛,除用来PIO32-121KT测量电压、电流、电阻外,还可用来判别器件的好坏、优劣。本实验只对常用二极管、三极管的性能及参数值进行测量。常用...[全文]
- 生长ITo电流扩展层2016/8/6 16:24:04 2016/8/6 16:24:04
- 生长ITo电流扩展层。光刻后,ITo腐蚀液(Hc1和FcC13按一定比例混合)腐蚀ITo层,丙酮去胶、K4T1G164QQ-HCE6常规清洗。ITO退火。将清洗干净的外延片在快速退火设备中退火。...[全文]
- 倒装芯片的制备工艺2016/8/5 20:49:12 2016/8/5 20:49:12
- 倒装芯片与正装芯片的制备工艺主要差异如下:①倒装芯片需要制备高反射层,通常采用Ag,Al,DBR等材料做反射层。②倒装芯片采用了双层布线结构,第二层JM20329-L...[全文]
- 可覆盖从黄光到红光的波段2016/8/2 19:28:41 2016/8/2 19:28:41
- 根据式(3-5)和式(3弱)的计算结果如图3-2所示,随组分豸的增加,当豸等于0.56时,(AlxGa1”)o5In0`AAT2500MITP由直接带隙变为间接带隙材料,对应的带隙宽度为2.25...[全文]
- 新建设计项目(Project)2016/7/30 12:10:32 2016/7/30 12:10:32
- 1.新建设计项目(Project)OrCAD软件包对电路设计任务按项目(Project)实施管理。开始一个新的项目设计时,ASDX005G24R首先要调用OrCAD/...[全文]
- 生长速率随生长温度的上升而迅速提高2016/7/27 21:56:05 2016/7/27 21:56:05
- 在低温区,生长速率随生长温度的上升而迅速提高,主要归因于NH3的分解效率和反应活化能随温度升高而显著提高。这一温区也即反应动力学区,HD64F2215TE16此时表面反应速率限制着生长速率,随着...[全文]
- 世界超级计算机2016/7/26 23:11:12 2016/7/26 23:11:12
- 2013年“天河二号”超级计D6F-PH0505AD3算机由国防科技大学研制成功,以峰值计算速度每秒5,49亿亿次、持续计算速度每秒3.39亿亿次双精度浮点运算的优异性能位居榜首,成为全球最快超...[全文]
- BIOs中断调用2016/7/25 20:23:56 2016/7/25 20:23:56
- 在存储器系统中,内存器高端8KB的ROM中存放有基本输入/输出系统BIOS例行程序。BIOs提供了最KMS15-15低最直接的硬件控制,是硬件与软件之间的接口。BIOS主要包括以下一些功能。...[全文]
- 微处理器的结构2016/7/24 18:13:15 2016/7/24 18:13:15
- IntelBO陌微处理器是第三代微处理器中的代表,具有16根数据线和⒛根地址线,可寻址F0408S291的内存空间为1MB,具有16位数据处理能力,也支持8位数据处理。BO86微处理器主要由执行...[全文]
- 确定系统基本结构2016/7/22 21:21:11 2016/7/22 21:21:11
- 单片机应用系统结构一般是以单片机为核心的,因此,系统中单片机选型、存储器I7090GS分配、通道划分、输入/输出方式及系统中硬、软件功能划分等都对单片机应用系统结构有直接影响。单片...[全文]
- 串行A/D转换器与单片机的接口2016/7/22 20:52:49 2016/7/22 20:52:49
- 在一些温度或压力等测量电路中,常常需要多路测量,有时还需要扩展显示界面(如LCD),I10618-J6前面介绍的并行接口的A/D和D/A需要占据大量的单片机I/o口,这时就会显得单片机的VO接口...[全文]
- 数据存储器扩展2016/7/19 20:52:19 2016/7/19 20:52:19
- 1.单片机数据存储器外部数据存储器与程序存储器扩展设AD7887BRZ-REEL7计方法基本相同,只是外部数据存储器的读/写信号要由WR和RD来实现。2...[全文]
- 特殊功能寄存器位的声明2016/7/12 21:24:02 2016/7/12 21:24:02
- 特殊功能寄存器位的声明特殊位的定义利用关键字sb⒒进行说明,与s定义一样,用关键字“sbit”定义某些特殊位时能接受任何符号名称,EXCCET103UN这种地址分配有3种方式。...[全文]
- C51的数据类型2016/7/12 21:14:44 2016/7/12 21:14:44
- 数据是具有一定格式的数字或数值,是计算机操作的对象。数据操作会因数据类型不同而有较大的差异,EPM3064ATC44-10N其差异主要体现在取值范围、存储位置和存储空间大小等几个方面。C51提供...[全文]
- 程序编制的步骤2016/7/11 22:27:51 2016/7/11 22:27:51
- 1.任务的分析首先,要对单片机应用系统预完成的任务进行深入的分析,明确系统的设计任务、功能ADP3330ART-3.3要求和技术指标。其次,要对系统的硬件资源和工作环境进行分析。这...[全文]
- ROM中常数读取指令2016/7/10 18:02:14 2016/7/10 18:02:14
- 为了取出存放在程序存储器中的表格数据,80C51单片机提供了两条查表指令,这两条JCM5052指令的操作码助记符为“MOVC”(movc∞de),表示操作对象是程序存储器。MOVC...[全文]
- 内部8位数据传送指令2016/7/10 17:59:03 2016/7/10 17:59:03
- 内部8位数据传送指令内部RANI区是数据传送最活跃的区域,8位内部数据传送指令共有15条,用于单片机内部的数据存储器和寄存器之间的数据传送。有立即寻址、直接寻址、寄存器JCM504...[全文]
热门点击
- 漏感应势垒降低(DIBL)效应
- 电子产品划分为以下3个级别
- MOs管的Dummy
- 多层PCB用半固化片(Prepreg)简
- Proteus Design suite
- 光弹效应
- 助焊剂的分类
- MOs电容的能带和电荷分而
- 减弱热载流子注入效应的应对措施
- 特殊功能寄存器位的声明
IC型号推荐
- ADV476KP66
- ADV476KP6602-570S
- ADV476KP66-93-OS
- ADV476KP66E
- ADV476KP66-REEL
- adv476kp80
- ADV476KP80E
- ADV476KP80E-REEL
- ADV476KPJ80
- ADV476KPP50E
- ADV476KPP66E
- ADV476KR
- ADV476KR66E
- ADV478
- ADV4781KP35E
- ADV478KP
- ADV478KP100
- ADV478KP100E
- ADV478KP30
- ADV478KP35
- ADV478KP-35
- ADV478KP35E
- ADV478KP35E01-25-OS
- ADV478KP50
- ADV478KP50E
- ADV478KP66
- ADV478KP-66
- ADV478KP66E
- ADV478KP80
- ADV478KP80/E