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数据存储器扩展

发布时间:2016/7/19 20:52:19 访问次数:830


   1.单片机数据存储器

   外部数据存储器与程序存储器扩展设AD7887BRZ-REEL7计方法基本相同,只是外部数据存储器的读/写信号要由WR和RD来实现。

   2.静态RAM扩展实例

   单片机gOc51应用系统扩展8KB静态RAM。

   解 (1)芯片选择

   根据题目容量的要求,选用sRAM6%4。它是一种采用CMOS工艺制成的田uM,采用单一+5V供电,输入/输出电平均与TTL兼容,额定功耗⒛0mW,典型存取时间200ns,28线双列直插式封装。

   能“的引脚如图9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址线;8根(D0~D7)双向数据线;CE为片选线,低电平有效;WE为写允许线,低电平有效;oE为读允许线,低电平有效。

   (2)硬件电路连接

   单片机与⒍CzI的硬件连接如图9.7所示。

   


   1.单片机数据存储器

   外部数据存储器与程序存储器扩展设AD7887BRZ-REEL7计方法基本相同,只是外部数据存储器的读/写信号要由WR和RD来实现。

   2.静态RAM扩展实例

   单片机gOc51应用系统扩展8KB静态RAM。

   解 (1)芯片选择

   根据题目容量的要求,选用sRAM6%4。它是一种采用CMOS工艺制成的田uM,采用单一+5V供电,输入/输出电平均与TTL兼容,额定功耗⒛0mW,典型存取时间200ns,28线双列直插式封装。

   能“的引脚如图9.6所示。⒍bz+有13根(A0~A12)地址线;8根(D0~D7)双向数据线;CE为片选线,低电平有效;WE为写允许线,低电平有效;oE为读允许线,低电平有效。

   (2)硬件电路连接

   单片机与⒍CzI的硬件连接如图9.7所示。

   

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