MOs管的Dummy

   在MOS管的两侧增加Dummy POly,避免栅的长度受到影响,如图8.17所示。ADR510ART-R2当要加保护环时,对NMOS管先加P型保护环连接到地,接着加N型保护环连接到电源。对PMOS先加N型保护环连接到电源,接着加P型保护环连接到地。

   类似于MOs的Dummy方法,有时会在四周都增加Dummy。在多晶或扩散区电阻的下面增加N阱可以减轻噪声对电阻的影响,N阱连接高电位与衬底反偏,如图8.18(a)所示。为了降低光照使电阻阻值下降的影响,应在N阱电阻上面覆盖金属并连接高电位。

电容增加Dummy方法与MOs管类似,N阱用于阻挡来自衬底的噪声,N阱接高电位,而衬底则反偏,如图8.18(b)所示。