根据式(3-5)和式(3弱)的计算结果如图3-2所示,随组分豸的增加,当豸等于0.56时,(AlxGa1”)o5In0` AAT2500MITP由直接带隙变为间接带隙材料,对应的带隙宽度为2.25eV。可见,(AlⅠGa1005InO sP材料对应的直接带隙的范围为1.899~2,25cV,代入式(3-1)得到对应的波长范围为550~650nm,如果用(AlyGa10o5hosP材料作为发光有源区,可覆盖从黄光到红光的波段。需要注意的是,对黄光区附近的AlGaInP材料,由于Γ谷和X谷的能量极小值相差很小,相当部分的导带电子会填充到X谷中,导致Γ谷中的电子浓度降低,这是用AlGaInP材料难以制备高效率黄光LED的重要原因之一。根据式(39)~式(3巧),可以求得AlGaInP材料的带隙与晶格常数的关系,结果如图3-3所示团,右边的纵轴还标出了与带隙跃迁对应的波长,在图中同时标出了直接带隙和间接带隙的区域。图中的垂直虚线段表示与衬底GaAs晶格匹配的带隙范围。