生长ITo电流扩展层。光刻后,ITo腐蚀液(Hc1和FcC13按一定比例混合)腐蚀ITo层,丙酮去胶、K4T1G164QQ-HCE6常规清洗。ITO退火。将清洗干净的外延片在快速退火设备中退火。

   电极制作。光刻后留胶,蒸发Cr/Au电极,丙酮超声剥离电极,合金。加厚电极制作。蒸发△/Al/Ti/Au电极,使P、N电极加厚,有利于后续压焊。最后进行减薄、划片、裂片、压焊、测试。

   尽管目前GaN基LED技术发展迅速,光效得到了很大提高,但各企业和研发机构为了进一步提高光效或避开专利技术壁垒,其研发团队仍在不断探索新的技术路线和新的器件制备方法,如GaN同质外延、三维结构发光、量子点技术等,随着新技术的涌现,也会随之出现与之相匹配的器件制备工艺。