- 耐冲击振动设计2012/5/2 19:23:21 2012/5/2 19:23:21
- 对于一般的电磁继电器，导致其在冲击、振动作用PIC16F684-E/SL下失效的直接原因为：继电器自身具有的维持触点闭合的力小于冲击、振动施加在触点上的瞬时作用力，从而导致闭合触点的瞬时断开，或者断...[全文]
- 质量等级与质量系数2012/5/1 20:00:17 2012/5/1 20:00:17
- 能保持正常气候条件，机械应力接PF38F3040MOY3DE近于零的地面良好环境，其维护条件良好，如有温湿度控制的实验室或大型地面站等；GMS为导弹发射井，发射井中的导弹及其辅助设备所处环境；GF．...[全文]
- 耐高温设计2012/4/30 17:43:58 2012/4/30 17:43:58
- 高温是一种典型的大气环境条件，它能引起连TMS320F2812PGFA接器失效。升高温度可以使连接器中的接触弹性件慢慢失去弹性，引起接触不良；高温可使绝缘材料软化或加速物理、化学变化过程，使性能恶化...[全文]
- 使用寿命和耐腐蚀性能2012/4/29 22:16:00 2012/4/29 22:16:00
- 为了提高连接器的使用寿命和74LCX14BQX耐腐蚀性能，几乎所有的接触件都在表面电镀了贵金属材料。所有接触件镀层可以分为两种情况：在高电导率基体金属上镀低电导率金属，如图5.2中直线1所示；在低电...[全文]
- 失效信息分析过程2012/4/28 20:18:56 2012/4/28 20:18:56
- (1)测试常温电参数因使用时采用锡焊，故在进行频率VLF3012ST-100MR59不稳的原因分析时，先在显微镜下仔细去除焊锡，并拍照，然后测试电参数（见表4.26>。从表4.26的反向漏电...[全文]
- 按可靠性设计中提出的控制要求实施控制2012/4/28 20:14:38 2012/4/28 20:14:38
- 由上述介绍可知，WFBX×××型砷化镓功率放大VLF3012ST-4R7MR91组件可靠性的提高，主要是通过提高FET承受结温和改善器件及组件的散热，解决器件在高温下连续工作时输出功率下降这一主要失...[全文]
- 封装工艺对器件可靠性的影响2012/4/27 20:01:12 2012/4/27 20:01:12
- 半导体分立器件封装工艺直接SPA11N60C3影响到器件的电性能、热性能、稳定性和可靠性。封装工艺应主要控制：①漏电流、分布电容、分布电感等电性能。②管壳的热性能。③器件的气密性。④机械性能...[全文]
- 光刻工艺对器件质量的影响及其工艺控制要求2012/4/27 19:45:10 2012/4/27 19:45:10
- 光刻工艺包括涂胶、曝光、显影、坚膜和腐蚀HA17555等五个工序，其工艺缺陷对产品可靠性的影响很大，因此，在进行工艺可靠性设计时必须要进行重点考虑。兆刻工艺引入的缺陷主要体现在氧化层和金属化层上。...[全文]
- 金属薄膜的缺陷和扩散2012/4/27 19:25:37 2012/4/27 19:25:37
- Al、Au薄膜在淀积过程中，由于杂质污染及局部应48CTQ060力使薄膜中存在一定的密度缺陷，主要是空位和晶界。Al离子的热振动可使其从正常晶格位置上激发到临近的空位中，产生Al离子的自扩散，相当...[全文]
- 研制阶段的可靠性控制2012/4/26 20:04:00 2012/4/26 20:04:00
- 为保证可靠性指标要求的实现，在设计时ULN2803APG要对研制阶段提出有关的可靠性控制要求，特别是对关键原材料的选用和质量均匀性、关键工艺的控制、关键设备的过程能力和检测手段等提出明确的控制要求。...[全文]
- X射线检查包含几方面检查内容2012/4/25 19:37:36 2012/4/25 19:37:36
- X射线检查主要用于检查电路内部CY7C60455-3X14C结构缺陷和多余物，对于有高可靠要求的产品通常包含以下几方面检查内容：①大于0.025mm的游离或附着的任何颗粒，或虽然尺寸较小但足以跨...[全文]
- 多余物失效2012/4/25 19:34:25 2012/4/25 19:34:25
- 混合集成电路加工制作过程复杂，人工操作多，粘接、再流焊、键合、手工焊、封口、返工等环节CY7C60445-3X14C相对容易产生多余物。其多余物主要表现为：①键合尾丝。②焊球、焊珠等焊料颗粒。③...[全文]
- 抗辐射设计2012/4/24 19:56:07 2012/4/24 19:56:07
- 辐射主要指一些高速粒子（中子流、X射线、7射线等）的影响，易造成FDB047N10电路内部的化学反应、蜕变和电离，使电路功能下降或失效。混合集成电路的抗辐射设计措施主要为：①首先选用采取了防护措施...[全文]
- 电迁移的可靠性模拟2012/4/23 19:21:59 2012/4/23 19:21:59
- 通过模拟由于电迁移产生的空位，继而产MFI341S2164生的老化效应，在电路设计阶段就可以预测互连线的可靠性。RELIANT[14]是互连线的可靠性模拟器，它预测互连线的瞬时失效率，其理沦基础是将互...[全文]
- 模拟集成电路2012/4/21 19:30:54 2012/4/21 19:30:54
- 处理模拟量的集成电路MAX809S称为模拟集成电路。根据用途可分为：①通用模拟电路，包括运算放大器、电压比较器、电压基准源电路、稳压电源电路等。②工业控制与测量电路，包括定时器、波形发生器、检测...[全文]
- 三防设计技术2012/4/20 19:10:17 2012/4/20 19:10:17
- 三防设计是指电子元器件M101AC的防潮湿、防盐雾、防霉菌性能的设计。潮湿、盐雾和霉菌会降低组成电子元器件的材料绝缘强度，引起漏电，从而导致失效。由潮湿、盐雾和霉菌引起的电子元器件失效模式主要有两...[全文]
- 静电防护的主要措施2012/4/19 20:08:09 2012/4/19 20:08:09
- 静电防护的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止静电产生、消除已产生的静电和设计保护电路等几种。1)防止静电产生防止静电产生的途径主要是：①控制生产环境。相对湿度的最佳范围为50%～...[全文]
- 失效率试验2012/4/18 19:52:28 2012/4/18 19:52:28
- 对确立可靠性指标的电子元件，为了验证产品SGM2007-1.8XN5/TR是否低于某规定的失效率等级须进行失效率试验，即在所要求的置信度下验证产品是否符合所要求的失效率等级。进行失效率试验时应规定如...[全文]
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