按可靠性设计中提出的控制要求实施控制
发布时间:2012/4/28 20:14:38 访问次数:536
由上述介绍可知，WFBX×××型砷化镓功率放大VLF3012ST-4R7MR91组件可靠性的提高，主要是通过提高FET承受结温和改善器件及组件的散热，解决器件在高温下连续工作时输出功率下降这一主要失效模式而实现的。实际上，该产品可靠性的提高和可靠性设计的实现，最主要的是要按设计要求进行可靠性控制。
按设计要求，该组件的生产分为两个部分：GaAs HFET芯片生产、组件装配生产。
通过可靠性设计和试验验证，将优化了的工艺以工艺卡的方式固定下来，发放到每个工序，规定了每一个需要控制的输入参数，规定了每一个需要监控的输出参数，并规定了操作员自检、检验员专检判断都合格才可以转下一工序的工艺质量控制要求。
茌生产过程中，除了按工艺可靠性设计要求对生产车间的温湿度、净化度，所使用的原材料包括化学溶剂和去离子水、氮气等进行严格控制外，还对关键工序（栅金属化、背面通孔、芯片烧结、金丝键合）进行重点控制。栅金属化工艺包括光刻、等离子刻蚀、挖槽、电子束蒸发、钝化介质保护等系列工艺，直接决定着管芯的固有电特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片减薄、红外光刻、RIE刻蚀、背面通孔金属化等系列工艺；芯片烧结和金丝键合属于装配工艺，芯片烧结的合金焊料厚度和空洞控制直接影响管芯的热阻及结温的均匀性，这两步工艺都是手工操作，为了达到良好的控制，重点的工作就是培训、练习、考核，操作设备与操作员是一一对应的，只有多次抽查全部合格的操作员才可以上岗操作。在生产过程中，按工艺卡要求，还有抽样的破坏性专检和红外热相测试结温检查等。
另外，影响水气含量的封帽工序也规定了很多的控制措旎，包括清洗条件、除湿条件、氮气要求、操作时间等。
WFB××××型砷化镓功率放大组件的生产全过程都要按工艺控制文件要求进行控制，已经生产的多批产品，全部一次通过质量一致性检验，多次DPA试验和水气含量分析等试验全部合格，可靠性指标（MTBF值）达到要求，现场使用性能稳定，用户反映良好。
按设计要求，该组件的生产分为两个部分：GaAs HFET芯片生产、组件装配生产。
通过可靠性设计和试验验证，将优化了的工艺以工艺卡的方式固定下来，发放到每个工序，规定了每一个需要控制的输入参数，规定了每一个需要监控的输出参数，并规定了操作员自检、检验员专检判断都合格才可以转下一工序的工艺质量控制要求。
茌生产过程中，除了按工艺可靠性设计要求对生产车间的温湿度、净化度，所使用的原材料包括化学溶剂和去离子水、氮气等进行严格控制外，还对关键工序（栅金属化、背面通孔、芯片烧结、金丝键合）进行重点控制。栅金属化工艺包括光刻、等离子刻蚀、挖槽、电子束蒸发、钝化介质保护等系列工艺，直接决定着管芯的固有电特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片减薄、红外光刻、RIE刻蚀、背面通孔金属化等系列工艺；芯片烧结和金丝键合属于装配工艺，芯片烧结的合金焊料厚度和空洞控制直接影响管芯的热阻及结温的均匀性，这两步工艺都是手工操作，为了达到良好的控制，重点的工作就是培训、练习、考核，操作设备与操作员是一一对应的，只有多次抽查全部合格的操作员才可以上岗操作。在生产过程中，按工艺卡要求，还有抽样的破坏性专检和红外热相测试结温检查等。
另外，影响水气含量的封帽工序也规定了很多的控制措旎，包括清洗条件、除湿条件、氮气要求、操作时间等。
WFB××××型砷化镓功率放大组件的生产全过程都要按工艺控制文件要求进行控制，已经生产的多批产品，全部一次通过质量一致性检验，多次DPA试验和水气含量分析等试验全部合格，可靠性指标（MTBF值）达到要求，现场使用性能稳定，用户反映良好。
由上述介绍可知，WFBX×××型砷化镓功率放大VLF3012ST-4R7MR91组件可靠性的提高，主要是通过提高FET承受结温和改善器件及组件的散热，解决器件在高温下连续工作时输出功率下降这一主要失效模式而实现的。实际上，该产品可靠性的提高和可靠性设计的实现，最主要的是要按设计要求进行可靠性控制。
按设计要求，该组件的生产分为两个部分：GaAs HFET芯片生产、组件装配生产。
通过可靠性设计和试验验证，将优化了的工艺以工艺卡的方式固定下来，发放到每个工序，规定了每一个需要控制的输入参数，规定了每一个需要监控的输出参数，并规定了操作员自检、检验员专检判断都合格才可以转下一工序的工艺质量控制要求。
茌生产过程中，除了按工艺可靠性设计要求对生产车间的温湿度、净化度，所使用的原材料包括化学溶剂和去离子水、氮气等进行严格控制外，还对关键工序（栅金属化、背面通孔、芯片烧结、金丝键合）进行重点控制。栅金属化工艺包括光刻、等离子刻蚀、挖槽、电子束蒸发、钝化介质保护等系列工艺，直接决定着管芯的固有电特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片减薄、红外光刻、RIE刻蚀、背面通孔金属化等系列工艺；芯片烧结和金丝键合属于装配工艺，芯片烧结的合金焊料厚度和空洞控制直接影响管芯的热阻及结温的均匀性，这两步工艺都是手工操作，为了达到良好的控制，重点的工作就是培训、练习、考核，操作设备与操作员是一一对应的，只有多次抽查全部合格的操作员才可以上岗操作。在生产过程中，按工艺卡要求，还有抽样的破坏性专检和红外热相测试结温检查等。
另外，影响水气含量的封帽工序也规定了很多的控制措旎，包括清洗条件、除湿条件、氮气要求、操作时间等。
WFB××××型砷化镓功率放大组件的生产全过程都要按工艺控制文件要求进行控制，已经生产的多批产品，全部一次通过质量一致性检验，多次DPA试验和水气含量分析等试验全部合格，可靠性指标（MTBF值）达到要求，现场使用性能稳定，用户反映良好。
按设计要求，该组件的生产分为两个部分：GaAs HFET芯片生产、组件装配生产。
通过可靠性设计和试验验证，将优化了的工艺以工艺卡的方式固定下来，发放到每个工序，规定了每一个需要控制的输入参数，规定了每一个需要监控的输出参数，并规定了操作员自检、检验员专检判断都合格才可以转下一工序的工艺质量控制要求。
茌生产过程中，除了按工艺可靠性设计要求对生产车间的温湿度、净化度，所使用的原材料包括化学溶剂和去离子水、氮气等进行严格控制外，还对关键工序（栅金属化、背面通孔、芯片烧结、金丝键合）进行重点控制。栅金属化工艺包括光刻、等离子刻蚀、挖槽、电子束蒸发、钝化介质保护等系列工艺，直接决定着管芯的固有电特性和可靠性；背面通孑L工序括芯片减薄、红外光刻、RIE刻蚀、背面通孔金属化等系列工艺；芯片烧结和金丝键合属于装配工艺，芯片烧结的合金焊料厚度和空洞控制直接影响管芯的热阻及结温的均匀性，这两步工艺都是手工操作，为了达到良好的控制，重点的工作就是培训、练习、考核，操作设备与操作员是一一对应的，只有多次抽查全部合格的操作员才可以上岗操作。在生产过程中，按工艺卡要求，还有抽样的破坏性专检和红外热相测试结温检查等。
另外，影响水气含量的封帽工序也规定了很多的控制措旎，包括清洗条件、除湿条件、氮气要求、操作时间等。
WFB××××型砷化镓功率放大组件的生产全过程都要按工艺控制文件要求进行控制，已经生产的多批产品，全部一次通过质量一致性检验，多次DPA试验和水气含量分析等试验全部合格，可靠性指标（MTBF值）达到要求，现场使用性能稳定，用户反映良好。
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