静电防护的主要措施
发布时间:2012/4/19 20:08:09 访问次数:2663
静电防护的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止静电产生、消除已产生的静电和设计保护电路等几种。
1)防止静电产生
防止静电产生的途径主要是：
①控制生产环境。相对湿度的最佳范围为50%～90%，通风降温设施风速降低有利于减少静电的产生，一般相对湿度低于40%就要采取增湿措施。
②控制生产工艺。在可能的情况下尽量减少将接触分离的机槭动作幅度，控制生产的速度和碰撞、磨损的力度。
③控制和选用材料。当一种物体表面与另一种物体表面摩擦时，摩擦热转变物体表面的电子能量，使之超过库仑约束能极，而使这些电子脱离它们的外层运转轨道，进入另一物体的外层运转轨道，产生两种离子，即带正电荷和带负电荷。对此了解易于产生静电的部位和零件，将其中之一改变为摩擦碰撞对象相同的材料或静电序列中位置较近的材料，使之相互对外层的电子能差不多，这样产生的静电较小。
④防止人体带电。操作人员是最大的活动静电源，且带的静电电量较大，因此应作为重点控制对象。
⑤建立防静电安全工作区。操作区内的所有工作台面必须是防静电的，每个操作ESD人员必须戴上防静电腕带，穿着防静电工作服和导电鞋。
2)消除已产生的静电
消除已产生的静电主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法适用于静电导体，中和法适用于静电非导体。
①泄漏法。泄漏一般是开辟一条静电通路，让静电电荷通过它进人大地或类似可容纳大量静电电荷的接近零电位的物体，其泄漏速度不宜过快，一般要求在0. Is内将人体等静电电源的静电位降到100V以下即可，由此可计算出泄漏的电阻应小于loioQ。考虑到人体的安全，此电阻应大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用离子静电消除器。
3)采用抗静电技术，设计保护电路
要提高元器件的抗ESD能力，主要从三方面人手进行抗静电设计：
①设计具有抗ESD能力的电路和版图。
②优化工艺设计。
③改进封装和测试。
不同的电子元器件，提高产品抗ESD钝力的措施不同。例如，对于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，尽可能提高栅总宽度Wg；对于硅微波低噪声晶体管，应尽可能提高B VEB击穿电压，增加发射极周长和面积，增加和改善EB结结构，并在输入端增加脉冲吸收网络；对静电敏感IC的最易受损的管脚处（例如，在V cc和I/O管脚等处）安装一个瞬态抑制器，即片式多层压敏电阻器就能起到保护IC的作用；具有独石结构的多层压敏电阻器与MLCC结构类似，内电极与陶瓷薄层交错并联经端电极引出，除进一步实现瓷体薄层化降低击穿电压外，多层并联使电极有效面积成倍增加，从而极大地提高其通流量和静电容量值，并有效地缩小元件的体积与减轻重量。
1)防止静电产生
防止静电产生的途径主要是：
①控制生产环境。相对湿度的最佳范围为50%～90%，通风降温设施风速降低有利于减少静电的产生，一般相对湿度低于40%就要采取增湿措施。
②控制生产工艺。在可能的情况下尽量减少将接触分离的机槭动作幅度，控制生产的速度和碰撞、磨损的力度。
③控制和选用材料。当一种物体表面与另一种物体表面摩擦时，摩擦热转变物体表面的电子能量，使之超过库仑约束能极，而使这些电子脱离它们的外层运转轨道，进入另一物体的外层运转轨道，产生两种离子，即带正电荷和带负电荷。对此了解易于产生静电的部位和零件，将其中之一改变为摩擦碰撞对象相同的材料或静电序列中位置较近的材料，使之相互对外层的电子能差不多，这样产生的静电较小。
④防止人体带电。操作人员是最大的活动静电源，且带的静电电量较大，因此应作为重点控制对象。
⑤建立防静电安全工作区。操作区内的所有工作台面必须是防静电的，每个操作ESD人员必须戴上防静电腕带，穿着防静电工作服和导电鞋。
2)消除已产生的静电
消除已产生的静电主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法适用于静电导体，中和法适用于静电非导体。
①泄漏法。泄漏一般是开辟一条静电通路，让静电电荷通过它进人大地或类似可容纳大量静电电荷的接近零电位的物体，其泄漏速度不宜过快，一般要求在0. Is内将人体等静电电源的静电位降到100V以下即可，由此可计算出泄漏的电阻应小于loioQ。考虑到人体的安全，此电阻应大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用离子静电消除器。
3)采用抗静电技术，设计保护电路
要提高元器件的抗ESD能力，主要从三方面人手进行抗静电设计：
①设计具有抗ESD能力的电路和版图。
②优化工艺设计。
③改进封装和测试。
不同的电子元器件，提高产品抗ESD钝力的措施不同。例如，对于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，尽可能提高栅总宽度Wg；对于硅微波低噪声晶体管，应尽可能提高B VEB击穿电压，增加发射极周长和面积，增加和改善EB结结构，并在输入端增加脉冲吸收网络；对静电敏感IC的最易受损的管脚处（例如，在V cc和I/O管脚等处）安装一个瞬态抑制器，即片式多层压敏电阻器就能起到保护IC的作用；具有独石结构的多层压敏电阻器与MLCC结构类似，内电极与陶瓷薄层交错并联经端电极引出，除进一步实现瓷体薄层化降低击穿电压外，多层并联使电极有效面积成倍增加，从而极大地提高其通流量和静电容量值，并有效地缩小元件的体积与减轻重量。
静电防护的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止静电产生、消除已产生的静电和设计保护电路等几种。
1)防止静电产生
防止静电产生的途径主要是：
①控制生产环境。相对湿度的最佳范围为50%～90%，通风降温设施风速降低有利于减少静电的产生，一般相对湿度低于40%就要采取增湿措施。
②控制生产工艺。在可能的情况下尽量减少将接触分离的机槭动作幅度，控制生产的速度和碰撞、磨损的力度。
③控制和选用材料。当一种物体表面与另一种物体表面摩擦时，摩擦热转变物体表面的电子能量，使之超过库仑约束能极，而使这些电子脱离它们的外层运转轨道，进入另一物体的外层运转轨道，产生两种离子，即带正电荷和带负电荷。对此了解易于产生静电的部位和零件，将其中之一改变为摩擦碰撞对象相同的材料或静电序列中位置较近的材料，使之相互对外层的电子能差不多，这样产生的静电较小。
④防止人体带电。操作人员是最大的活动静电源，且带的静电电量较大，因此应作为重点控制对象。
⑤建立防静电安全工作区。操作区内的所有工作台面必须是防静电的，每个操作ESD人员必须戴上防静电腕带，穿着防静电工作服和导电鞋。
2)消除已产生的静电
消除已产生的静电主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法适用于静电导体，中和法适用于静电非导体。
①泄漏法。泄漏一般是开辟一条静电通路，让静电电荷通过它进人大地或类似可容纳大量静电电荷的接近零电位的物体，其泄漏速度不宜过快，一般要求在0. Is内将人体等静电电源的静电位降到100V以下即可，由此可计算出泄漏的电阻应小于loioQ。考虑到人体的安全，此电阻应大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用离子静电消除器。
3)采用抗静电技术，设计保护电路
要提高元器件的抗ESD能力，主要从三方面人手进行抗静电设计：
①设计具有抗ESD能力的电路和版图。
②优化工艺设计。
③改进封装和测试。
不同的电子元器件，提高产品抗ESD钝力的措施不同。例如，对于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，尽可能提高栅总宽度Wg；对于硅微波低噪声晶体管，应尽可能提高B VEB击穿电压，增加发射极周长和面积，增加和改善EB结结构，并在输入端增加脉冲吸收网络；对静电敏感IC的最易受损的管脚处（例如，在V cc和I/O管脚等处）安装一个瞬态抑制器，即片式多层压敏电阻器就能起到保护IC的作用；具有独石结构的多层压敏电阻器与MLCC结构类似，内电极与陶瓷薄层交错并联经端电极引出，除进一步实现瓷体薄层化降低击穿电压外，多层并联使电极有效面积成倍增加，从而极大地提高其通流量和静电容量值，并有效地缩小元件的体积与减轻重量。
1)防止静电产生
防止静电产生的途径主要是：
①控制生产环境。相对湿度的最佳范围为50%～90%，通风降温设施风速降低有利于减少静电的产生，一般相对湿度低于40%就要采取增湿措施。
②控制生产工艺。在可能的情况下尽量减少将接触分离的机槭动作幅度，控制生产的速度和碰撞、磨损的力度。
③控制和选用材料。当一种物体表面与另一种物体表面摩擦时，摩擦热转变物体表面的电子能量，使之超过库仑约束能极，而使这些电子脱离它们的外层运转轨道，进入另一物体的外层运转轨道，产生两种离子，即带正电荷和带负电荷。对此了解易于产生静电的部位和零件，将其中之一改变为摩擦碰撞对象相同的材料或静电序列中位置较近的材料，使之相互对外层的电子能差不多，这样产生的静电较小。
④防止人体带电。操作人员是最大的活动静电源，且带的静电电量较大，因此应作为重点控制对象。
⑤建立防静电安全工作区。操作区内的所有工作台面必须是防静电的，每个操作ESD人员必须戴上防静电腕带，穿着防静电工作服和导电鞋。
2)消除已产生的静电
消除已产生的静电主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法适用于静电导体，中和法适用于静电非导体。
①泄漏法。泄漏一般是开辟一条静电通路，让静电电荷通过它进人大地或类似可容纳大量静电电荷的接近零电位的物体，其泄漏速度不宜过快，一般要求在0. Is内将人体等静电电源的静电位降到100V以下即可，由此可计算出泄漏的电阻应小于loioQ。考虑到人体的安全，此电阻应大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用离子静电消除器。
3)采用抗静电技术，设计保护电路
要提高元器件的抗ESD能力，主要从三方面人手进行抗静电设计：
①设计具有抗ESD能力的电路和版图。
②优化工艺设计。
③改进封装和测试。
不同的电子元器件，提高产品抗ESD钝力的措施不同。例如，对于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，尽可能提高栅总宽度Wg；对于硅微波低噪声晶体管，应尽可能提高B VEB击穿电压，增加发射极周长和面积，增加和改善EB结结构，并在输入端增加脉冲吸收网络；对静电敏感IC的最易受损的管脚处（例如，在V cc和I/O管脚等处）安装一个瞬态抑制器，即片式多层压敏电阻器就能起到保护IC的作用；具有独石结构的多层压敏电阻器与MLCC结构类似，内电极与陶瓷薄层交错并联经端电极引出，除进一步实现瓷体薄层化降低击穿电压外，多层并联使电极有效面积成倍增加，从而极大地提高其通流量和静电容量值，并有效地缩小元件的体积与减轻重量。
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