辐射主要指一些高速粒子（中子流、X射线、7射线等）的影响，易造成FDB047N10电路内部的化学反应、蜕变和电离，使电路功能下降或失效。混合集成电路的抗辐射设计措施主要为：
    ①首先选用采取了防护措施而抗辐射性能好的电子元器件（电阻器、电容器、晶体管、集成电路等）进行混合集成电路组装。

    ②在电路设计上可采取适当的抗辐射措施，如采用限流电阻防止过大的瞬时光电流或用反向二极管产生电流来抵消其影响，采用适当的退耦、旁路滤波和反馈有助于消除y射线、瞬时中子流辐射、电磁脉冲等造成的不良影响等。
    ③在封装外壳上涂覆抗辐射性能好的防护材料。
    高可靠混合集成电路应达到的耐环境试验能力要求
    根据GJB 2438-2002《混合集成电路通用规范》规定和GJB548A-96《微电子器件试验方法和程序》的要求，宇航级和高可靠级产品应达到的主要耐环境试验能力如表3.4所示。

    表3.4中oci为质量一致性检验的缩写，QML为合格制造商鉴定（工艺和材料鉴定）的缩写。因此，在设计用于宇航环境或要求高可靠级（H级）的混合集成电路时，应充分考虑各种环境因素对混合集成电路可靠性的影响，在设计上采取各种有效措施，提高产品的抗环境能力，才能达到《混合集成电路通用规苑》的规定要求。