三防设计及气密性设计
发布时间:2012/4/24 19:52:13 访问次数:897
三防设计是指防潮湿设计、防盐雾设计FAN7314MX和防霉菌设计。关于潮湿、盐雾和霉菌的影响效应分析请参看本书的1.6.6节。气密性设计是高可靠混合集成电路的必备要求，应采用适当的外壳封装。通常，用于大型复杂和重要设备中的混合集成电路外壳应使用玻璃、金属或陶瓷（或以上材料的组合）气密封装。外壳结构和密封工艺应满足下列条件：
①在干燥的高纯N2环境中密封，控制内部水汽含量不大于5000ppm。
②粘合剂或聚合材料不得用于壳盖或引线的粘接（或密封）以及返工／返修。
③不允许对电路进行聚合物浸渍或第二次密封（如回填、镀涂或使用有机材料、聚合材料以实现、改进或返工、返修密封性能）。
④晟后密封工艺不得使用焊剂。
⑤采用缝焊工艺进行最后封盖后，玻璃一金属封接处到封装密封面之间应有足够距离以免损伤或破坏玻璃一金属封接。
⑥所选择的封装材料在温度变化过程中，不同材料之间热膨胀系数的失配程度，不应损坏封装的整体性或气密性。
⑦外壳设计和制作要符合有关标准的要求，如《混合集成电路通用规范》的要求。
⑧必要时，外壳镀层外可涂覆三防材料。
①在干燥的高纯N2环境中密封，控制内部水汽含量不大于5000ppm。
②粘合剂或聚合材料不得用于壳盖或引线的粘接（或密封）以及返工／返修。
③不允许对电路进行聚合物浸渍或第二次密封（如回填、镀涂或使用有机材料、聚合材料以实现、改进或返工、返修密封性能）。
④晟后密封工艺不得使用焊剂。
⑤采用缝焊工艺进行最后封盖后，玻璃一金属封接处到封装密封面之间应有足够距离以免损伤或破坏玻璃一金属封接。
⑥所选择的封装材料在温度变化过程中，不同材料之间热膨胀系数的失配程度，不应损坏封装的整体性或气密性。
⑦外壳设计和制作要符合有关标准的要求，如《混合集成电路通用规范》的要求。
⑧必要时，外壳镀层外可涂覆三防材料。
三防设计是指防潮湿设计、防盐雾设计FAN7314MX和防霉菌设计。关于潮湿、盐雾和霉菌的影响效应分析请参看本书的1.6.6节。气密性设计是高可靠混合集成电路的必备要求，应采用适当的外壳封装。通常，用于大型复杂和重要设备中的混合集成电路外壳应使用玻璃、金属或陶瓷（或以上材料的组合）气密封装。外壳结构和密封工艺应满足下列条件：
①在干燥的高纯N2环境中密封，控制内部水汽含量不大于5000ppm。
②粘合剂或聚合材料不得用于壳盖或引线的粘接（或密封）以及返工／返修。
③不允许对电路进行聚合物浸渍或第二次密封（如回填、镀涂或使用有机材料、聚合材料以实现、改进或返工、返修密封性能）。
④晟后密封工艺不得使用焊剂。
⑤采用缝焊工艺进行最后封盖后，玻璃一金属封接处到封装密封面之间应有足够距离以免损伤或破坏玻璃一金属封接。
⑥所选择的封装材料在温度变化过程中，不同材料之间热膨胀系数的失配程度，不应损坏封装的整体性或气密性。
⑦外壳设计和制作要符合有关标准的要求，如《混合集成电路通用规范》的要求。
⑧必要时，外壳镀层外可涂覆三防材料。
①在干燥的高纯N2环境中密封，控制内部水汽含量不大于5000ppm。
②粘合剂或聚合材料不得用于壳盖或引线的粘接（或密封）以及返工／返修。
③不允许对电路进行聚合物浸渍或第二次密封（如回填、镀涂或使用有机材料、聚合材料以实现、改进或返工、返修密封性能）。
④晟后密封工艺不得使用焊剂。
⑤采用缝焊工艺进行最后封盖后，玻璃一金属封接处到封装密封面之间应有足够距离以免损伤或破坏玻璃一金属封接。
⑥所选择的封装材料在温度变化过程中，不同材料之间热膨胀系数的失配程度，不应损坏封装的整体性或气密性。
⑦外壳设计和制作要符合有关标准的要求，如《混合集成电路通用规范》的要求。
⑧必要时，外壳镀层外可涂覆三防材料。
相关技术资料- 4-24三防设计及气密性设计
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