- 或非门电路的栅电压与衬底电流的对应关系2016/7/2 18:37:39 2016/7/2 18:37:39
- 图10.9所示是或非门电路的栅电压与衬AD8051AR底电流的对应关系,最大衬底电流发生在栅压为2.05V处,此时的衬底电流是1.53uA,对应的漏极电流是0.绲41mA。...[全文]
- 饱和区漏源电流2016/7/1 22:44:46 2016/7/1 22:44:46
- 沟道开启后,当漏极电压进一步增大时,会使栅电压被抑制。在漏端附近的反型层将最终消失,CAP008DG或者说靠近漏端的si/s02界面的沟道载流子浓度开始等于衬底掺杂浓度时可以看成沟道的夹断。这时...[全文]
- 匹配的原则2016/6/28 23:30:45 2016/6/28 23:30:45
- 匹配的原则。尽量ADS1255IDBR将匹配的器件靠近放置,保持器件的方向一致,选择一个中间值作为根部件,还可用交叉法、共心法,采用虚拟器件法等。Poly尽量不做连线,因为Po~的电阻比较大,不...[全文]
- MPW加工服务中心的职能2016/6/28 21:42:07 2016/6/28 21:42:07
- MPW加工服务中心的职能如图8.11所示。不同的ADF4153BCPZ设计单位在自得到集成电路的最终描述(版图),通常是以GDSII格式或CIF格式描述。MPW服务中心将多个集成电路设计合并成一...[全文]
- 圆片级栅氧的可靠性评价技术 2016/6/27 21:58:15 2016/6/27 21:58:15
- 随着超大规模集成电路线宽的不断缩小,栅氧化层变得越来越薄,而电源电压却不能按比例下降。BP1361栅氧化层工作在较高的电场强度下,使栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题。栅极氧化层的抗电性能不好...[全文]
- 可靠性评价的测试结构 2016/6/23 22:15:27 2016/6/23 22:15:27
- 在一个用户的最终产品中,半导体器件在给定的工作条件下,在产品的特定寿命期间内必须能够稳定地工作。ADM1181AARWZ-REEL要达到上述目的,必须对半导体器件的可靠性进行评价。...[全文]
- 参考文献2016/6/23 21:49:41 2016/6/23 21:49:41
- ChenmingHu。ACEffcctsinICRcliabili△。Microelectron。Rcliab.1996,36(11/12)∶1611ADM1069ASTH.Kat...[全文]
- 氮和氮化物2016/6/21 22:25:43 2016/6/21 22:25:43
- 氮和氮化物。栅氧中OF140SC100D通常通过掺氮和氮化处理来减少在PMOs器件中的硼扩散,改善器件抗Hα效应能力和增加介电常数等。但是氮的存在通常会使NBTI退化增强,国际半导体的Chapa...[全文]
- 楔形的空隙增加了导体的电阻2016/6/21 22:10:16 2016/6/21 22:10:16
- 楔形的空隙增加了导体的电阻,而撕裂OMI-SS-124D形的空隙造成了开路失效。失效的特点如下:(1)因撕裂型空隙形成的开路失效发生在铝被长时间(数千小时)放在高温下之后;...[全文]
- 多晶硅发射极高性能结构2016/6/19 18:52:18 2016/6/19 18:52:18
- 多晶硅发射极高性能结构,该结构适用于3.3V结构是一种共具有23步掩膜步骤的Bi-CMOS和5V的电路。这种结构ES1B-13-F建立在双多晶硅层、双金属、双阱0.6um标准CMOS工艺的基础之...[全文]
- 早期研制的集成电路都是双极型的2016/6/17 21:44:28 2016/6/17 21:44:28
- 早期研制的集成电路都是双极型的,1960年以后出现了采用MOs(Mcta1_oxidc¨semi¨conduGtor)结构和工艺的集成电路,从此MOs集成电路得到了迅速发展。H3CR-A双极型和...[全文]
- 工艺过程周期2016/6/17 21:35:24 2016/6/17 21:35:24
- 晶圆在生产中实际处理的时间可以用天来计算。但是由于在各工艺过程的排队等候和工艺问题引起的临时性减慢,晶圆通常会在生产区域停留几个星期。H12WD4890PG晶圆等待的时间越长,受到污染而导致电测...[全文]
- 前端工艺引入的缺陷2016/6/15 20:54:39 2016/6/15 20:54:39
- 高介质常数材料对很多应用来说,高介质常数材料已取代像二氧化硅和氮化硅这样的传统材料。CY27C512-55WMB高介质常数材料(如%2α、BasrTio3、PbLaZr△03等)可用做栅介质...[全文]
- 金属铜离子在硅片表面阴极被还原成金属铜原子2016/6/14 21:18:11 2016/6/14 21:18:11
- 电镀铜金属是将具有导电表面的硅片沉浸在硫酸铜溶液中,该溶液中包含需要被沉积的铜。EL5427CRZ片子和种子层作为带负电荷的平板或阴极连接到部电源。固体铜块沉浸在溶液中并构成带正电荷的阳极。电流...[全文]
- 金属钨2016/6/14 21:13:55 2016/6/14 21:13:55
- 多层金属化产生了数量很多的接触孔,这些接触孔要使用金属填充塞来填充,EL5423CR以便在两层金属之间形成连接通路。接触填充薄膜被用于连接硅衬底中器件和第一层金属化。目前被用于填充的最普通的金属...[全文]
- 金属硅化物 2016/6/14 20:59:55 2016/6/14 20:59:55
- 金属硅化物的产生与形成难熔金属与硅在一起发生反应,熔合时形成硅化物。硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物,并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率。EL5374IUZ在硅片制造业中...[全文]
- 多晶硅薄膜2016/6/11 17:36:45 2016/6/11 17:36:45
- 利用多晶硅替代金属铝作为MOs器件的栅极是MOs集成电路技术的重大突破,AD7892BN-2它比利用金属铝作为栅极的MOs器件性能上得到了很大提高,而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注...[全文]
- sio2膜的制备 2016/6/10 18:13:29 2016/6/10 18:13:29
- sio2的制备方法有许多种,包括热氧化法、热分解法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、SG40281B1-000U-G99等离子氧化法等。各种制备方法各有特点,不过,热氧化法是应用最为广泛的,这是...[全文]
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